GB/T 29506-2013
300 mm polierte monokristalline Siliziumwafer (Englische Version)
- Standard-Nr.
- GB/T 29506-2013
- Sprachen
- Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
- Erscheinungsdatum
- 2013
- Organisation
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Letzte Version
- GB/T 29506-2013
GB/T 29506-2013 Normative Verweisungen
- GB/T 11073 Standardmethode zur Messung der radialen Widerstandsschwankung auf Siliziumscheiben
- GB/T 13388 Verfahren zur Messung der kristallographischen Orientierung von Flächen auf einkristallinen Siliziumscheiben und Wafern mittels Röntgentechnik
- GB/T 14140 Testverfahren zur Messung des Durchmessers von Halbleiterwafern
- GB/T 14264 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
- GB/T 1550 Prüfverfahren für den Leitfähigkeitstyp von extrinsischen Halbleitermaterialien*， 2018-12-28 Aktualisieren
- GB/T 1554 Prüfverfahren für die kristallographische Perfektion von Silizium durch bevorzugte Ätztechniken
- GB/T 1555 Methode zur Bestimmung der Kristallorientierung eines Halbleiter-Einkristalls*， 2023-08-06 Aktualisieren
- GB/T 1557 Testverfahren zur Bestimmung des interstitiellen Sauerstoffgehalts in Silizium durch Infrarotabsorption*， 2018-09-17 Aktualisieren
- GB/T 1558 Infrarot-Absorptionstestverfahren für den Gehalt an substituiertem Kohlenstoff in Silizium*， 2023-12-28 Aktualisieren
- GB/T 19921 Prüfmethode für Partikel auf polierten Siliziumwaferoberflächen*， 2018-12-28 Aktualisieren
- GB/T 19922 Standardtestmethoden zur Messung der Ebenheit von Siliziumwafern durch berührungsloses Scannen
- GB/T 24578 Testmethode zur Messung der Oberflächenmetallkontamination auf Siliziumwafern mittels Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzspektroskopie*， 2015-12-10 Aktualisieren
- GB/T 26067 Standardtestmethode für die Abmessungen von Kerben auf Siliziumwafern
- GB/T 2828.1 Prüfverfahren nach Zählprobenahme Teil 1: Stichprobenplan für die Chargenprüfung, abgerufen durch die Akzeptanzqualitätsgrenze (AQL)
- GB/T 29504 300 mm monokristallines Silizium
- GB/T 29507 Testmethode zur Messung der Ebenheit, Dicke und Gesamtdickenschwankung von Siliziumwafern. Automatisiertes berührungsloses Scannen
- GB/T 29508 300 mm monokristallines Silizium als Schnittscheiben und gemahlene Scheiben
- GB/T 4058 Testverfahren zur Erkennung von durch Oxidation verursachten Defekten in polierten Siliziumwafern
- GB/T 6616 Berührungsloses Wirbelstromverfahren zum Testen des spezifischen Widerstands von Halbleiterwafern und des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen*， 2023-08-06 Aktualisieren
- GB/T 6624 Standardmethode zur Messung der Oberflächenqualität polierter Siliziumscheiben durch visuelle Inspektion
- YS/T 26 Verfahren zur Prüfung der Randkontur eines Siliziumwafers*， 2016-07-11 Aktualisieren
- YS/T 679 Oberflächenphotospannungsmethode zur Messung der Diffusionslänge von Minoritätsträgern in extrinsischen Halbleitern*， 2018-10-22 Aktualisieren
GB/T 29506-2013 Veröffentlichungsverlauf
- 2013 GB/T 29506-2013 300 mm polierte monokristalline Siliziumwafer
