GB/T 29508-2013
300 mm monokristallines Silizium als Schnittscheiben und gemahlene Scheiben (Englische Version)

Standard-Nr.
GB/T 29508-2013
Sprachen
Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
Erscheinungsdatum
2013
Organisation
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Zustand
Letzte Version
GB/T 29508-2013
ersetzt durch
ABNT NBR 14519-2011

GB/T 29508-2013 Normative Verweisungen

  • GB/T 11073 Standardmethode zur Messung der radialen Widerstandsschwankung auf Siliziumscheiben
  • GB/T 13388 Verfahren zur Messung der kristallographischen Orientierung von Flächen auf einkristallinen Siliziumscheiben und Wafern mittels Röntgentechnik
  • GB/T 14140 Testverfahren zur Messung des Durchmessers von Halbleiterwafern
  • GB/T 14264 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
  • GB/T 1550 Prüfverfahren für den Leitfähigkeitstyp von extrinsischen Halbleitermaterialien*2018-12-28 Aktualisieren
  • GB/T 1551 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von einkristallinem Silizium – Inline-Vierpunktsonden- und Gleichstrom-Zweipunktsondenverfahren*2021-05-21 Aktualisieren
  • GB/T 1554 Prüfverfahren für die kristallographische Perfektion von Silizium durch bevorzugte Ätztechniken
  • GB/T 1555 Methode zur Bestimmung der Kristallorientierung eines Halbleiter-Einkristalls*2023-08-06 Aktualisieren
  • GB/T 1557 Testverfahren zur Bestimmung des interstitiellen Sauerstoffgehalts in Silizium durch Infrarotabsorption*2018-09-17 Aktualisieren
  • GB/T 1558 Infrarot-Absorptionstestverfahren für den Gehalt an substituiertem Kohlenstoff in Silizium*2023-12-28 Aktualisieren
  • GB/T 26067 Standardtestmethode für die Abmessungen von Kerben auf Siliziumwafern
  • GB/T 2828.1 Prüfverfahren nach Zählprobenahme Teil 1: Stichprobenplan für die Chargenprüfung, abgerufen durch die Akzeptanzqualitätsgrenze (AQL)
  • GB/T 29504 300 mm monokristallines Silizium
  • GB/T 29507 Testmethode zur Messung der Ebenheit, Dicke und Gesamtdickenschwankung von Siliziumwafern. Automatisiertes berührungsloses Scannen
  • GB/T 6616 Berührungsloses Wirbelstromverfahren zum Testen des spezifischen Widerstands von Halbleiterwafern und des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen*2023-08-06 Aktualisieren
  • GB/T 6624 Standardmethode zur Messung der Oberflächenqualität polierter Siliziumscheiben durch visuelle Inspektion
  • YS/T 26 Verfahren zur Prüfung der Randkontur eines Siliziumwafers*2016-07-11 Aktualisieren

GB/T 29508-2013 Veröffentlichungsverlauf

  • 2013 GB/T 29508-2013 300 mm monokristallines Silizium als Schnittscheiben und gemahlene Scheiben

GB/T 29508-2013 300 mm monokristallines Silizium als Schnittscheiben und gemahlene Scheiben ha sido cambiado a ABNT NBR 14519-2011 Elektronische Stromzähler – Spezifikation.

300 mm monokristallines Silizium als Schnittscheiben und gemahlene Scheiben



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