YS/T 985-2014
Polierte wiedergewonnene Siliziumwafer (Englische Version)

Standard-Nr.
YS/T 985-2014
Sprachen
Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
Erscheinungsdatum
2014
Organisation
Professional Standard - Non-ferrous Metal
Letzte Version
YS/T 985-2014

YS/T 985-2014 Normative Verweisungen

  • GB/T 11073 Standardmethode zur Messung der radialen Widerstandsschwankung auf Siliziumscheiben
  • GB/T 12962 Silizium-Einkristall*2017-01-01 Aktualisieren
  • GB/T 12964 Polierte Wafer aus monokristallinem Silizium*2018-09-17 Aktualisieren
  • GB/T 13387 Testverfahren zur Messung flacher Wafer aus Silizium und anderen elektronischen Materialien
  • GB/T 13388 Verfahren zur Messung der kristallographischen Orientierung von Flächen auf einkristallinen Siliziumscheiben und Wafern mittels Röntgentechnik
  • GB/T 14140 Testverfahren zur Messung des Durchmessers von Halbleiterwafern
  • GB/T 14144 Prüfverfahren zur Bestimmung der radialen interstitiellen Sauerstoffschwankung in Silizium
  • GB/T 14264 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
  • GB/T 14844 Bezeichnungen von Halbleitermaterialien*2018-12-28 Aktualisieren
  • GB/T 1550 Prüfverfahren für den Leitfähigkeitstyp von extrinsischen Halbleitermaterialien*2018-12-28 Aktualisieren
  • GB/T 1554 Prüfverfahren für die kristallographische Perfektion von Silizium durch bevorzugte Ätztechniken
  • GB/T 1555 Methode zur Bestimmung der Kristallorientierung eines Halbleiter-Einkristalls*2023-08-06 Aktualisieren
  • GB/T 1557 Testverfahren zur Bestimmung des interstitiellen Sauerstoffgehalts in Silizium durch Infrarotabsorption*2018-09-17 Aktualisieren
  • GB/T 1558 Infrarot-Absorptionstestverfahren für den Gehalt an substituiertem Kohlenstoff in Silizium*2023-12-28 Aktualisieren
  • GB/T 19921 Prüfmethode für Partikel auf polierten Siliziumwaferoberflächen*2018-12-28 Aktualisieren
  • GB/T 19922 Standardtestmethoden zur Messung der Ebenheit von Siliziumwafern durch berührungsloses Scannen
  • GB/T 2828.1 Prüfverfahren nach Zählprobenahme Teil 1: Stichprobenplan für die Chargenprüfung, abgerufen durch die Akzeptanzqualitätsgrenze (AQL)
  • GB/T 4058 Testverfahren zur Erkennung von durch Oxidation verursachten Defekten in polierten Siliziumwafern
  • GB/T 6616 Berührungsloses Wirbelstromverfahren zum Testen des spezifischen Widerstands von Halbleiterwafern und des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen*2023-08-06 Aktualisieren
  • GB/T 6618 Prüfverfahren für Dicke und Gesamtdickenschwankung von Siliziumscheiben
  • GB/T 6619 Prüfverfahren für die Biegung von Siliziumwafern
  • GB/T 6620 Testverfahren zur Messung der Verformung von Siliziumscheiben durch berührungsloses Scannen
  • GB/T 6621 Prüfmethoden für die Oberflächenebenheit von Siliziumscheiben
  • GB/T 6624 Standardmethode zur Messung der Oberflächenqualität polierter Siliziumscheiben durch visuelle Inspektion

YS/T 985-2014 Veröffentlichungsverlauf




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