GB/T 12965 Monokristallines Silizium als geschnittene Wafer und geläppte Wafer*， 2018-09-17 Aktualisieren
GB/T 13387 Testverfahren zur Messung flacher Wafer aus Silizium und anderen elektronischen Materialien
GB/T 13388 Verfahren zur Messung der kristallographischen Orientierung von Flächen auf einkristallinen Siliziumscheiben und Wafern mittels Röntgentechnik
GB/T 14140 Testverfahren zur Messung des Durchmessers von Halbleiterwafern
GB/T 14264 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
GB/T 14844 Bezeichnungen von Halbleitermaterialien*， 2018-12-28 Aktualisieren
GB/T 1550 Prüfverfahren für den Leitfähigkeitstyp von extrinsischen Halbleitermaterialien*， 2018-12-28 Aktualisieren
GB/T 1555 Methode zur Bestimmung der Kristallorientierung eines Halbleiter-Einkristalls*， 2023-08-06 Aktualisieren
GB/T 20503 Eloxieren von Aluminium und seinen Legierungen. Messung der Spiegelreflexion und des Spiegelglanzes in Winkeln von 20°, 45°, 60° oder 85°
GB/T 26067 Standardtestmethode für die Abmessungen von Kerben auf Siliziumwafern
GB/T 2828.1 Prüfverfahren nach Zählprobenahme Teil 1: Stichprobenplan für die Chargenprüfung, abgerufen durch die Akzeptanzqualitätsgrenze (AQL)
GB/T 29505 Prüfverfahren zur Messung der Oberflächenrauheit auf planaren Oberflächen von Siliziumwafern
GB/T 30453 Sammlung von Metallographen für Originalfehler von kristallinem Silizium
GB/T 6616 Berührungsloses Wirbelstromverfahren zum Testen des spezifischen Widerstands von Halbleiterwafern und des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen*， 2023-08-06 Aktualisieren
GB/T 6618 Prüfverfahren für Dicke und Gesamtdickenschwankung von Siliziumscheiben
GB/T 6620 Testverfahren zur Messung der Verformung von Siliziumscheiben durch berührungsloses Scannen
YS/T 26 Verfahren zur Prüfung der Randkontur eines Siliziumwafers