DIN 50448 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Berührungslose Bestimmung des elektrischen Widerstands von halbisolierenden Halbleiterscheiben mittels einer kapazitiven Sonde
GB/T 13387 Testverfahren zur Messung flacher Wafer aus Silizium und anderen elektronischen Materialien
GB/T 13388 Verfahren zur Messung der kristallographischen Orientierung von Flächen auf einkristallinen Siliziumscheiben und Wafern mittels Röntgentechnik
GB/T 14140 Testverfahren zur Messung des Durchmessers von Halbleiterwafern
GB/T 14264 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
GB/T 1555 Methode zur Bestimmung der Kristallorientierung eines Halbleiter-Einkristalls*, 2023-08-06 Aktualisieren
GB/T 29505 Prüfverfahren zur Messung der Oberflächenrauheit auf planaren Oberflächen von Siliziumwafern
GB/T 29507 Testmethode zur Messung der Ebenheit, Dicke und Gesamtdickenschwankung von Siliziumwafern. Automatisiertes berührungsloses Scannen
GB/T 31351 Zerstörungsfreie Prüfmethode für die Mikroröhrendichte von polierten monokristallinen Siliziumkarbid-Wafern
GB/T 6616 Berührungsloses Wirbelstromverfahren zum Testen des spezifischen Widerstands von Halbleiterwafern und des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen*, 2023-08-06 Aktualisieren
GB/T 6619 Prüfverfahren für die Biegung von Siliziumwafern
GB/T 6620 Testverfahren zur Messung der Verformung von Siliziumscheiben durch berührungsloses Scannen
GB/T 6624 Standardmethode zur Messung der Oberflächenqualität polierter Siliziumscheiben durch visuelle Inspektion