GB/T 13388 Verfahren zur Messung der kristallographischen Orientierung von Flächen auf einkristallinen Siliziumscheiben und Wafern mittels Röntgentechnik
GB/T 14264 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
GB/T 1555 Methode zur Bestimmung der Kristallorientierung eines Halbleiter-Einkristalls*, 2023-08-06 Aktualisieren
GB/T 19921 Prüfmethode für Partikel auf polierten Siliziumwaferoberflächen
GB/T 26067 Standardtestmethode für die Abmessungen von Kerben auf Siliziumwafern
GB/T 2828.1-2012 Prüfverfahren nach Zählprobenahme Teil 1: Stichprobenplan für die Chargenprüfung, abgerufen durch die Akzeptanzqualitätsgrenze (AQL)
GB/T 32278 Prüfverfahren für die Ebenheit eines Siliziumkarbid-Einzelwafers
GB/T 4326 Messung der Hall-Mobilität und des Hall-Koeffizienten durch extrinsische Halbleiter-Einkristalle
GB/T 6618 Prüfverfahren für Dicke und Gesamtdickenschwankung von Siliziumscheiben
GB/T 6624 Standardmethode zur Messung der Oberflächenqualität polierter Siliziumscheiben durch visuelle Inspektion