SJ/T 11471-2014 (Englische Version) Messmethoden für epitaktische Wafer von Leuchtdioden Normen und Spezifikationen

SJ/T 11471-2014 Normative Verweisungen

GB/T 14140.2-1993 Siliziumscheiben und -wafer – Messung des Durchmessers – Mikrometermethode
GB/T 18907-2002 Methode der Elektronenbeugung ausgewählter Flächen für Transmissionselektronenmikroskope
GB/T 20229 Galliumphosphid-Einkristall*， 2022-03-09 Aktualisieren
GB/T 20307-2006 Allgemeine Regeln für die Längenmessung im Nanometerbereich mittels REM
GB/T 25915.1-2010 Reinräume und zugehörige kontrollierte Umgebungen. Teil 1: Klassifizierung der Luftreinheit
GB/T 6619 Prüfverfahren für die Biegung von Siliziumwafern
GB/T 6620 Testverfahren zur Messung der Verformung von Siliziumscheiben durch berührungsloses Scannen
GB/T 6624-2009 Standardmethode zur Messung der Oberflächenqualität polierter Siliziumscheiben durch visuelle Inspektion
GB/T 8758-2006 Messung der Dicke epitaktischer Galliumarsenidschichten mittels Infrarotinterferenz
GB/T 8760-2006 Galliumarsenid-Einkristall – Bestimmung der Versetzungsdichte
JB/T 7503 Dicke des Querschnitts von Metallbeschichtungen Rasterelektronenmikroskop-Messmethode
SJ/T 11394-2009 Messmethoden für Halbleiter-Leuchtdioden
SJ/T 11395-2009 Terminologie der Halbleiterbeleuchtung
SJ/T 11399-2009 Messmethoden für Chips von Leuchtdioden
SJ/T 11470-2014 Epitaktische Wafer aus Leuchtdioden