GB/T 30856-2014
GaAs-Substrate für LED-Epitaxie-Chips (Englische Version)
- Standard-Nr.
- GB/T 30856-2014
- Sprachen
- Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
- Erscheinungsdatum
- 2014
- Organisation
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Letzte Version
- GB/T 30856-2014
GB/T 30856-2014 Normative Verweisungen
- GB/T 13387 Testverfahren zur Messung flacher Wafer aus Silizium und anderen elektronischen Materialien
- GB/T 13388 Verfahren zur Messung der kristallographischen Orientierung von Flächen auf einkristallinen Siliziumscheiben und Wafern mittels Röntgentechnik
- GB/T 14140 Testverfahren zur Messung des Durchmessers von Halbleiterwafern
- GB/T 14264 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
- GB/T 14844 Bezeichnungen von Halbleitermaterialien*， 2018-12-28 Aktualisieren
- GB/T 1555 Methode zur Bestimmung der Kristallorientierung eines Halbleiter-Einkristalls*， 2023-08-06 Aktualisieren
- GB/T 191 Verpackung. Bildliche Kennzeichnung für den Warenumschlag
- GB/T 2828.1 Prüfverfahren nach Zählprobenahme Teil 1: Stichprobenplan für die Chargenprüfung, abgerufen durch die Akzeptanzqualitätsgrenze (AQL)
- GB/T 4326 Messung der Hall-Mobilität und des Hall-Koeffizienten durch extrinsische Halbleiter-Einkristalle
- GB/T 6616 Berührungsloses Wirbelstromverfahren zum Testen des spezifischen Widerstands von Halbleiterwafern und des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen*， 2023-08-06 Aktualisieren
- GB/T 6618 Prüfverfahren für Dicke und Gesamtdickenschwankung von Siliziumscheiben
- GB/T 6620 Testverfahren zur Messung der Verformung von Siliziumscheiben durch berührungsloses Scannen
- GB/T 6621 Prüfmethoden für die Oberflächenebenheit von Siliziumscheiben
- GB/T 6624 Standardmethode zur Messung der Oberflächenqualität polierter Siliziumscheiben durch visuelle Inspektion
- GB/T 8760 Prüfverfahren für die Versetzungsdichte von einkristallinem Galliumarsenid*， 2020-09-29 Aktualisieren
GB/T 30856-2014 Veröffentlichungsverlauf
- 2014 GB/T 30856-2014 GaAs-Substrate für LED-Epitaxie-Chips
