GB/T 30854-2014
Galliumnitrid-basierte Epitaxieschicht für LED-Beleuchtung (Englische Version)

Standard-Nr.
GB/T 30854-2014
Sprachen
Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
Erscheinungsdatum
2014
Organisation
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Letzte Version
GB/T 30854-2014

GB/T 30854-2014 Normative Verweisungen

  • GB/T 13387 Testverfahren zur Messung flacher Wafer aus Silizium und anderen elektronischen Materialien
  • GB/T 14140 Testverfahren zur Messung des Durchmessers von Halbleiterwafern
  • GB/T 14142 Prüfverfahren zur kristallographischen Perfektion epitaktischer Schichten in Silizium – Ätztechnik*2017-09-29 Aktualisieren
  • GB/T 14264 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
  • GB/T 14844 Bezeichnungen von Halbleitermaterialien*2018-12-28 Aktualisieren
  • GB/T 191 Verpackung. Bildliche Kennzeichnung für den Warenumschlag
  • GB/T 2828.1 Prüfverfahren nach Zählprobenahme Teil 1: Stichprobenplan für die Chargenprüfung, abgerufen durch die Akzeptanzqualitätsgrenze (AQL)
  • GB/T 4326 Messung der Hall-Mobilität und des Hall-Koeffizienten durch extrinsische Halbleiter-Einkristalle
  • GB/T 6618 Prüfverfahren für Dicke und Gesamtdickenschwankung von Siliziumscheiben
  • GB/T 6619 Prüfverfahren für die Biegung von Siliziumwafern
  • GB/T 6620 Testverfahren zur Messung der Verformung von Siliziumscheiben durch berührungsloses Scannen
  • SJ/T 11399 Messmethoden für Chips von Leuchtdioden

GB/T 30854-2014 Veröffentlichungsverlauf

  • 2014 GB/T 30854-2014 Galliumnitrid-basierte Epitaxieschicht für LED-Beleuchtung
Galliumnitrid-basierte Epitaxieschicht für LED-Beleuchtung



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