GB/T 26068-2010
Testverfahren für die Trägerrekombinationslebensdauer in Siliziumwafern durch berührungslose Messung des Photoleitfähigkeitsabfalls durch Mikrowellenreflexion (Englische Version)
- Standard-Nr.
- GB/T 26068-2010
- Sprachen
- Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
- Erscheinungsdatum
- 2011
- Organisation
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Zustand
- 2019-11
- ersetzt durch
- GB/T 26068-2018
- Letzte Version
- GB/T 26068-2018
GB/T 26068-2010 Normative Verweisungen
- GB/T 11446.1 Wasser in elektronischer Qualität*， 2013-12-31 Aktualisieren
- GB/T 13389 Übung zur Umrechnung zwischen spezifischem Widerstand und Dotierstoffdichte für mit Bor, Phosphor und Arsen dotiertes Silizium*， 2014-12-31 Aktualisieren
- GB/T 14264 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
- GB/T 1550 Prüfverfahren für den Leitfähigkeitstyp von extrinsischen Halbleitermaterialien*， 2018-12-28 Aktualisieren
- GB/T 1552 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von einkristallinem Silizium und Germanium mit einem kollinearen Vier-Sonden-Array
- GB/T 1553-2009 Testmethoden für die Lebensdauer von Minoritätsträgern in massivem Germanium und Silicium durch Messung des Photoleitungsabfalls
- GB/T 6616 Berührungsloses Wirbelstromverfahren zum Testen des spezifischen Widerstands von Halbleiterwafern und des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen*， 2023-08-06 Aktualisieren
- GB/T 6618 Prüfverfahren für Dicke und Gesamtdickenschwankung von Siliziumscheiben
- YS/T 679-2008 Testmethoden für die Diffusionslänge von Minoritätsträgern in extrinsischen Halbleitern durch Messung der stationären Oberflächenphotospannung
GB/T 26068-2010 Veröffentlichungsverlauf
- 2019 GB/T 26068-2018 Messung der Ladungsträger-Rekombinationslebensdauer von Siliziumwafern und -barren, berührungslose Mikrowellenreflexions-Photoleitfähigkeits-Zerfallsmethode
- 2011 GB/T 26068-2010 Testverfahren für die Trägerrekombinationslebensdauer in Siliziumwafern durch berührungslose Messung des Photoleitfähigkeitsabfalls durch Mikrowellenreflexion
