GB/T 13389-2014
Übung zur Umrechnung zwischen spezifischem Widerstand und Dotierstoffdichte für mit Bor, Phosphor und Arsen dotiertes Silizium (Englische Version)
- Standard-Nr.
- GB/T 13389-2014
- Sprachen
- Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
- Erscheinungsdatum
- 2014
- Organisation
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Letzte Version
- GB/T 13389-2014
- Ersetzen
- GB/T 13389-1992
GB/T 13389-2014 Normative Verweisungen
- GB/T 14264 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
- GB/T 1550 Prüfverfahren für den Leitfähigkeitstyp von extrinsischen Halbleitermaterialien*， 2018-12-28 Aktualisieren
- GB/T 1551 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von einkristallinem Silizium – Inline-Vierpunktsonden- und Gleichstrom-Zweipunktsondenverfahren*， 2021-05-21 Aktualisieren
- GB/T 4326 Messung der Hall-Mobilität und des Hall-Koeffizienten durch extrinsische Halbleiter-Einkristalle
GB/T 13389-2014 Veröffentlichungsverlauf
- 2014 GB/T 13389-2014 Übung zur Umrechnung zwischen spezifischem Widerstand und Dotierstoffdichte für mit Bor, Phosphor und Arsen dotiertes Silizium
- 1992 GB/T 13389-1992 Übung zur Umrechnung zwischen spezifischem Widerstand und Dotierstoffdichte für mit Bor und Phosphor dotiertes Silizium
