YS/T 679-2008
Testmethoden für die Diffusionslänge von Minoritätsträgern in extrinsischen Halbleitern durch Messung der stationären Oberflächenphotospannung (Englische Version)
- Standard-Nr.
- YS/T 679-2008
- Sprachen
- Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
- Erscheinungsdatum
- 2008
- Organisation
- Professional Standard - Non-ferrous Metal
- Zustand
- 2019-04
- ersetzt durch
- YS/T 679-2018
- Letzte Version
- YS/T 679-2018
YS/T 679-2008 Normative Verweisungen
- GB/T 11446.1 Wasser in elektronischer Qualität*， 2013-12-31 Aktualisieren
- GB/T 14264 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen*， 2009-10-30 Aktualisieren
- GB/T 14847 Prüfverfahren für die Dicke von leicht dotierten Silizium-Epitaxieschichten auf stark dotierten Siliziumsubstraten durch Infrarotreflexion*， 2011-01-10 Aktualisieren
- GB/T 1552 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von einkristallinem Silizium und Germanium mit einem kollinearen Vier-Sonden-Array
- GB/T 1553 Bestimmung der Lebensdauer von Minoritätsträgern in Silizium und Germanium durch die Methode des Photoleitungszerfalls*， 2023-08-06 Aktualisieren
- GB/T 6616 Berührungsloses Wirbelstromverfahren zum Testen des spezifischen Widerstands von Halbleiterwafern und des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen*， 2023-08-06 Aktualisieren
- GB/T 6618 Prüfverfahren für Dicke und Gesamtdickenschwankung von Siliziumscheiben*， 2009-10-30 Aktualisieren
YS/T 679-2008 Veröffentlichungsverlauf
- 2018 YS/T 679-2018 Oberflächenphotospannungsmethode zur Messung der Diffusionslänge von Minoritätsträgern in extrinsischen Halbleitern
- 2008 YS/T 679-2008 Testmethoden für die Diffusionslänge von Minoritätsträgern in extrinsischen Halbleitern durch Messung der stationären Oberflächenphotospannung
