GB/T 14863-2013
Methode zur Bestimmung der Nettoträgerdichte in Silizium-Epitaxieschichten durch Spannungs-Kapazität von gesteuerten und nicht gesteuerten Dioden (Englische Version)
- Standard-Nr.
- GB/T 14863-2013
- Sprachen
- Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
- Erscheinungsdatum
- 2013
- Organisation
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Zustand
- 2017-12
- Letzte Version
- GB/T 14863-2013
- Ersetzen
- GB/T 14863-1993
GB/T 14863-2013 Normative Verweisungen
- GB/T 14141 Testverfahren für den Schichtwiderstand epitaktischer, diffundierter und ionenimplantierter Siliziumschichten unter Verwendung eines kollinearen Vier-Sonden-Arrays
- GB/T 14146 Testverfahren für die Trägerkonzentration von Silizium-Epitaxieschichten – Kapazitäts-Spannungs-Verfahren*， 2021-05-21 Aktualisieren
- GB/T 14847 Prüfverfahren für die Dicke von leicht dotierten Silizium-Epitaxieschichten auf stark dotierten Siliziumsubstraten durch Infrarotreflexion
GB/T 14863-2013 Veröffentlichungsverlauf
- 2013 GB/T 14863-2013 Methode zur Bestimmung der Nettoträgerdichte in Silizium-Epitaxieschichten durch Spannungs-Kapazität von gesteuerten und nicht gesteuerten Dioden
- 1993 GB/T 14863-1993 Standardtestverfahren für die Nettoträgerdichte in Silizium-Eqitaxieschichten durch Spannungs-Kapazität von gesteuerten und nicht gesteuerten Dioden
