GB/T 14146-2021
Testverfahren für die Trägerkonzentration von Silizium-Epitaxieschichten – Kapazitäts-Spannungs-Verfahren (Englische Version)

Standard-Nr.
GB/T 14146-2021
Sprachen
Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
Erscheinungsdatum
2021
Organisation
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
Letzte Version
GB/T 14146-2021
Ersetzen
GB/T 14146-2009

GB/T 14146-2021 Normative Verweisungen

  • GB/T 14264 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
  • GB/T 14847 Prüfverfahren für die Dicke von leicht dotierten Silizium-Epitaxieschichten auf stark dotierten Siliziumsubstraten durch Infrarotreflexion
  • GB/T 1550 Prüfverfahren für den Leitfähigkeitstyp von extrinsischen Halbleitermaterialien
  • GB/T 1551 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von einkristallinem Silizium – Inline-Vierpunktsonden- und Gleichstrom-Zweipunktsondenverfahren
  • GB/T 6624 Standardmethode zur Messung der Oberflächenqualität polierter Siliziumscheiben durch visuelle Inspektion

GB/T 14146-2021 Veröffentlichungsverlauf

  • 2021 GB/T 14146-2021 Testverfahren für die Trägerkonzentration von Silizium-Epitaxieschichten – Kapazitäts-Spannungs-Verfahren
  • 2009 GB/T 14146-2009 Siliziumepitaxieschichten – Bestimmung der Trägerkonzentration – Quecksilbersondenspannungen – Kapazitätsmethode
  • 1993 GB/T 14146-1993 Siliziumepitaxieschichten – Bestimmung der Ladungsträgerkonzentration – Quecksilbersonden-Spannungskapazitätsmethode
Testverfahren für die Trägerkonzentration von Silizium-Epitaxieschichten – Kapazitäts-Spannungs-Verfahren



© 2024 Alle Rechte vorbehalten.