GB/T 14847-2010
Prüfverfahren für die Dicke von leicht dotierten Silizium-Epitaxieschichten auf stark dotierten Siliziumsubstraten durch Infrarotreflexion (Englische Version)
- Standard-Nr.
- GB/T 14847-2010
- Sprachen
- Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
- Erscheinungsdatum
- 2011
- Organisation
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Letzte Version
- GB/T 14847-2010
- Ersetzen
- GB/T 14847-1993
GB/T 14847-2010 Normative Verweisungen
- GB/T 14264 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
- GB/T 1552 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von einkristallinem Silizium und Germanium mit einem kollinearen Vier-Sonden-Array
- GB/T 6379.2 Genauigkeit (Richtigkeit und Präzision) von Messmethoden und -ergebnissen – Teil 2: Grundlegende Methode zur Bestimmung der Wiederholbarkeit und Reproduzierbarkeit einer Standardmessmethode
GB/T 14847-2010 Veröffentlichungsverlauf
- 2011 GB/T 14847-2010 Prüfverfahren für die Dicke von leicht dotierten Silizium-Epitaxieschichten auf stark dotierten Siliziumsubstraten durch Infrarotreflexion
- 1993 GB/T 14847-1993 Prüfverfahren zur Bestimmung der Dicke von leicht dotierten äquitaktischen Siliziumschichten auf stark dotierten Siliziumsubstraten durch Infrarotreflexion
