GB/T 25076-2010
Monokristallines Silizium einer Solarzelle (Englische Version)

Standard-Nr.
GB/T 25076-2010
Sprachen
Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
Erscheinungsdatum
2010
Organisation
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Zustand
 2019-06
ersetzt durch
GB/T 25076-2018
Letzte Version
GB/T 25076-2018

GB/T 25076-2010 Normative Verweisungen

  • GB/T 11073 Standardmethode zur Messung der radialen Widerstandsschwankung auf Siliziumscheiben
  • GB/T 14140 Testverfahren zur Messung des Durchmessers von Halbleiterwafern
  • GB/T 14264 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
  • GB/T 1550 Prüfverfahren für den Leitfähigkeitstyp von extrinsischen Halbleitermaterialien*2018-12-28 Aktualisieren
  • GB/T 1552 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von einkristallinem Silizium und Germanium mit einem kollinearen Vier-Sonden-Array
  • GB/T 1553 Bestimmung der Lebensdauer von Minoritätsträgern in Silizium und Germanium durch die Methode des Photoleitungszerfalls*2023-08-06 Aktualisieren
  • GB/T 1554 Prüfverfahren für die kristallographische Perfektion von Silizium durch bevorzugte Ätztechniken
  • GB/T 1555 Methode zur Bestimmung der Kristallorientierung eines Halbleiter-Einkristalls*2023-08-06 Aktualisieren
  • GB/T 1557 Testverfahren zur Bestimmung des interstitiellen Sauerstoffgehalts in Silizium durch Infrarotabsorption*2018-09-17 Aktualisieren
  • GB/T 1558 Infrarot-Absorptionstestverfahren für den Gehalt an substituiertem Kohlenstoff in Silizium*2023-12-28 Aktualisieren
  • GB/T 6616 Berührungsloses Wirbelstromverfahren zum Testen des spezifischen Widerstands von Halbleiterwafern und des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen*2023-08-06 Aktualisieren

GB/T 25076-2010 Veröffentlichungsverlauf

Monokristallines Silizium einer Solarzelle



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