GB/T 11073 Standardmethode zur Messung der radialen Widerstandsschwankung auf Siliziumscheiben
GB/T 14140 Testverfahren zur Messung des Durchmessers von Halbleiterwafern
GB/T 14264 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
GB/T 1550 Prüfverfahren für den Leitfähigkeitstyp von extrinsischen Halbleitermaterialien*, 2018-12-28 Aktualisieren
GB/T 1552 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von einkristallinem Silizium und Germanium mit einem kollinearen Vier-Sonden-Array
GB/T 1553 Bestimmung der Lebensdauer von Minoritätsträgern in Silizium und Germanium durch die Methode des Photoleitungszerfalls*, 2023-08-06 Aktualisieren
GB/T 1554 Prüfverfahren für die kristallographische Perfektion von Silizium durch bevorzugte Ätztechniken
GB/T 1555 Methode zur Bestimmung der Kristallorientierung eines Halbleiter-Einkristalls*, 2023-08-06 Aktualisieren
GB/T 1557 Testverfahren zur Bestimmung des interstitiellen Sauerstoffgehalts in Silizium durch Infrarotabsorption*, 2018-09-17 Aktualisieren
GB/T 1558 Infrarot-Absorptionstestverfahren für den Gehalt an substituiertem Kohlenstoff in Silizium*, 2023-12-28 Aktualisieren
GB/T 6616 Berührungsloses Wirbelstromverfahren zum Testen des spezifischen Widerstands von Halbleiterwafern und des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen*, 2023-08-06 Aktualisieren
GB/T 25076-2010 Veröffentlichungsverlauf
2018GB/T 25076-2018 Monokristallines Silizium für Solarzellen
2010GB/T 25076-2010 Monokristallines Silizium einer Solarzelle