SJ/T 11396-2009
Die Saphirsubstrate für Leuchtdioden auf Nitridbasis (Englische Version)
- Standard-Nr.
- SJ/T 11396-2009
- Sprachen
- Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
- Erscheinungsdatum
- 2009
- Organisation
- Professional Standard - Electron
- Zustand
- Letzte Version
- SJ/T 11396-2009
SJ/T 11396-2009 Normative Verweisungen
- GB/T 1031-1995 Oberflächenrauheitsparameter und ihre Werte
- GB/T 14264-1993 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
- GB/T 1554-1995 Testverfahren zur kristallographischen Perfektion von Silizium durch bevorzugte Ätztechniken
- GB/T 1555 Methode zur Bestimmung der Kristallorientierung eines Halbleiter-Einkristalls*， 2023-08-06 Aktualisieren
- GB/T 2828.1-2003 Probenahmeverfahren für die Prüfung nach Merkmalen – Teil 1: Stichprobenpläne, indexiert nach der Akzeptanzqualitätsgrenze (AQL) für die Prüfung von Los zu Los
- GB/T 6618 Prüfverfahren für Dicke und Gesamtdickenschwankung von Siliziumscheiben
- GB/T 6619 Prüfverfahren für die Biegung von Siliziumwafern
- GB/T 6620 Testverfahren zur Messung der Verformung von Siliziumscheiben durch berührungsloses Scannen
- GB/T 6621 Prüfmethoden für die Oberflächenebenheit von Siliziumscheiben
- GB/T 6624 Standardmethode zur Messung der Oberflächenqualität polierter Siliziumscheiben durch visuelle Inspektion
- SJ 20744-1999 Allgemeine Regel der Infrarot-Absorptionsspektralanalyse für die Verunreinigungskonzentration in Halbleitermaterialien
SJ/T 11396-2009 Veröffentlichungsverlauf
- 2009 SJ/T 11396-2009 Die Saphirsubstrate für Leuchtdioden auf Nitridbasis
