IEC 60749/AMD1:2000
Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren; Änderung 1

Standard-Nr.

IEC 60749/AMD1:2000

Erscheinungsdatum

2000

Organisation

International Electrotechnical Commission (IEC)

Zustand

zurückziehen 2002-04

ersetzt durch

IEC 60749/AMD2:2001

Letzte Version

IEC 60749:2002

Ersetzen

IEC 47/1477/FDIS:2000

IEC 60749/AMD1:2000 Veröffentlichungsverlauf

• 2002 IEC 60749:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden
• 2001 IEC 60749/AMD2:2001 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren; Änderung 2
• 2000 IEC 60749/AMD1:2000 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren; Änderung 1
• 1996 IEC 60749:1996 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden
• 1993 IEC 60749/AMD2:1993 Halbleiterbauelemente; mechanische und klimatische Prüfmethoden; Änderung 2
• 1991 IEC 60749/AMD1:1991 Halbleiterbauelemente; mechanische und klimatische Prüfmethoden; Änderung 1
• 1984 IEC 60749:1984 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden

IEC 60749/AMD1:2000 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren; Änderung 1 ha sido cambiado a IEC 60749-6:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 6: Lagerung bei hohen Temperaturen.

IEC 60749/AMD1:2000 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren; Änderung 1 ha sido cambiado a IEC 60749-9:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 9: Dauerhaftigkeit der Markierung.

IEC 60749/AMD1:2000 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren; Änderung 1 ha sido cambiado a IEC 60749-11:2002 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 11: Schnelle Temperaturänderung; Zwei-Flüssigkeitsbad-Methode.

IEC 60749/AMD1:2000 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren; Änderung 1 ha sido cambiado a IEC 60749-13:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 13: Salzatmosphäre.

IEC 60749/AMD1:2000 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren; Änderung 1 ha sido cambiado a IEC 60749-12:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 12: Vibration, variable Frequenz.

IEC 60749/AMD1:2000 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren; Änderung 1 ha sido cambiado a IEC 60749-1:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 1: Allgemeines.

IEC 60749/AMD1:2000 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren; Änderung 1 ha sido cambiado a IEC 60749-8:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 8: Abdichtung.

IEC 60749/AMD1:2000 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren; Änderung 1 ha sido cambiado a IEC 60749-31:2002 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 31: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (intern induziert).

IEC 60749/AMD1:2000 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren; Änderung 1 ha sido cambiado a IEC 60749-32:2002 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (extern induziert).

IEC 60749/AMD1:2000 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren; Änderung 1 ha sido cambiado a IEC 60749-22:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 22: Haftfestigkeit.

IEC 60749/AMD1:2000 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren; Änderung 1 ha sido cambiado a IEC 60749-7:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des Innenfeuchtegehalts und Analyse anderer Restgase.

IEC 60749/AMD1:2000 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren; Änderung 1 ha sido cambiado a IEC 60749-10:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 10: Mechanischer Schock.

IEC 60749/AMD1:2000 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren; Änderung 1 ha sido cambiado a IEC 60749-4:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 4: Feuchte Hitze, stationärer, hochbeschleunigter Stresstest (HAST).

IEC 60749/AMD1:2000 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren; Änderung 1 ha sido cambiado a IEC 60749-20:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 20: Beständigkeit von kunststoffummantelten SMDs gegenüber der kombinierten Einwirkung von Feuchtigkeit und Lötwärme.

IEC 60749/AMD1:2000 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren; Änderung 1 ha sido cambiado a IEC 60749:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden.