Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
Für die Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern gibt es insgesamt 169 relevante Standards.
In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern die folgenden Kategorien: Optoelektronik, Lasergeräte, Diskrete Halbleitergeräte, Eigenschaften und Design von Maschinen, Anlagen und Geräten, Glasfaserkommunikation, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Optik und optische Messungen, Thermodynamik und Temperaturmessung, medizinische Ausrüstung.
National Standardisation Body (ASRO), Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- STAS 12258/3-1985 Optoelektronische Halbleiterbauelemente FOTOTRANSISTOREN Terminologie und wesentliche Eigenschaften
- STAS 12258/7-1987 OPTOELEKTRONISCHE SEMICONDIC-TOH-GERÄTE PHOTOVOLTAISCHE ZELLEN Terminologie und wesentliches Cliarac! eristik
- STAS 12258/2-1984 Optoelektronische Halbleiterbauelemente PIIOTODIODEN Terminologie und wesentliche Eigenschaften
- STAS 12258/5-1986 OPTOELEKTRONISCHE HALBLEITERGERÄTE ZEIGEN Terminologie und wesentliche Merkmale
- STAS 12258/4-1986 Optoelektronische Halbleiterbauelemente LEUCHTDIODEN Terminologie und Hauptmerkmale
- STAS 12258/6-1987 OPTOELEKTRONISCHE HALBLEITERGERÄTE INFRAROT-EMM1TING-DIODEN Terminologie und wesentliche Eigenschaften
Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- GJB 8120-2013 Allgemeine Spezifikation für optoelektronische Halbleitermodule
- GJB 33/17-2011 Optoelektronisches Halbleiterbauelement. Detaillierte Spezifikation für den Halbleiter-Fotokoppler vom Typ GO11
- GJB 33/16-2011 Optoelektronisches Halbleiterbauelement. Detaillierte Spezifikation für den Halbleiterfototransistor Typ 3DU32
- GJB 33/18-2011 Optoelektronisches Halbleitergerät. Detaillierte Spezifikation für bidirektionalen Analogschalter-Halbleiter-Optokoppler vom Typ GO417
- GJB/Z 41.3-1993 Militärische diskrete Halbleitergeräteserie Spektrum optoelektronischer Halbleitergeräte
- GJB 8121-2013 Allgemeine Spezifikation für die optoelektronische Halbleiterbaugruppe
- GJB 33/15-2011 Optoelektronisches Halbleitergerät. Detaillierte Spezifikation für die Halbleiter-Infrarotdiode Typ BT401
- GJB 8119-2013 Allgemeine Spezifikation für optoelektronische Halbleitergeräte
- GJB 33/20-2011 Optoelektronisches Halbleitergerät. Detaillierte Spezifikation für den Optokoppler Typ GH302
- GJB 33/22-2011 Optoelektronisches Halbleitergerät. Detaillierte Spezifikation für den Optokoppler vom Typ GO103
British Standards Institution (BSI), Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- BS EN 62007-1:2000 Optoelektronische Halbleitergeräte für Glasfasersystemanwendungen – Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- BS IEC 60747-5-4:2022 Halbleitergeräte – Optoelektronische Geräte. Halbleiterlaser
- BS IEC 60747-5-4:2022+A1:2024 Semiconductorbauelemente - Optoelektronische Bauelemente. Halbleiterlaser.
- BS IEC 60747-5-4:2006 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Optoelektronische Bauelemente – Halbleiterlaser
- 12/30261676 DC BS EN 62779-2. Halbleiterbauelemente. Halbleiterschnittstelle für die Kommunikation zwischen Mensch und Körper. Charakterisierung der Schnittstellenleistung
- BS EN 62007-1:2015 Optoelektronische Halbleitergeräte für faseroptische Systemanwendungen. Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Merkmale
- BS EN 62007-1:2009 Optoelektronische Halbleitergeräte für Glasfasersystemanwendungen – Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- BS EN IEC 60747-5-5:2020 Halbleiterbauelemente. Optoelektronische Geräte. Fotokoppler
- BS IEC 60747-18-4:2023 Halbleitergeräte – Halbleiter-Biosensoren. Bewertungsmethode für Rauscheigenschaften von linsenfreien CMOS-Photonik-Array-Sensoren
- 19/30404095 DC BS EN IEC 60747-5-4. Halbleiterbauelemente. Teil 5-4. Optoelektronische Geräte. Halbleiterlaser
- BS IEC 62951-5:2019 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Prüfverfahren für die thermischen Eigenschaften flexibler Materialien
- 23/30473272 DC BS IEC 60747-5-4 AMD 1. Halbleiterbauelemente – Teil 5-4. Optoelektronische Geräte. Halbleiterlaser
- BS EN IEC 62007-1:2015+A1:2022 Optoelektronische Halbleitergeräte für Glasfasersystemanwendungen – Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- BS IEC 62951-4:2019 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Ermüdungsbewertung für flexible leitfähige Dünnfilme auf dem Substrat für flexible Halbleiterbauelemente
- BS 3363:1961 Liste der Buchstabensymbole für Schwachstrom-Halbleiterbauelemente
- BS IEC 60747-18-5:2023 Halbleitergeräte – Halbleiter-Biosensoren. Bewertungsmethode für die Lichtempfindlichkeitseigenschaften von linsenfreien CMOS-Photonik-Array-Sensorpaketmodulen anhand des Einfallswinkels des Lichts
- BS EN 62007-2:2000 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Messmethoden
- BS EN 60747-5-2:2001(2003) Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5 – 2: Optoelektronische Bauelemente – Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- BS EN 60747-5-5:2011+A1:2015 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte – optoelektronische Geräte. Fotokoppler
- BS EN 62007-2:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Messmethoden
- BS EN 60747-5-5:2011 Halbleitergeräte. Diskrete Geräte. Optoelektronische Geräte. Fotokoppler
- BS IEC 60747-18-3:2019 Halbleiterbauelemente. Halbleiter-Biosensoren. Fluidströmungseigenschaften von linsenfreien CMOS-Photonik-Array-Sensorpaketmodulen mit Fluidsystem
- BS IEC 62951-6:2019 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Prüfverfahren für den Schichtwiderstand flexibler leitender Filme
- BS EN 60747-5-2:1998 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise. Optoelektronische Geräte. Wesentliche Bewertungen und Eigenschaften
- BS EN 60747-5-2:2001 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Optoelektronische Bauelemente – Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
Gosstandart of Russia, Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- GOST 17772-1988 Halbleiter-Fotodetektoren und fotoelektrische Empfangsgeräte. Methoden zur Messung photoelektrischer Parameter und zur Bestimmung von Eigenschaften
- GOST R 50471-1993 Halbleiter-Fotoemitter. Messmethode für Halbwertswinkel
- GOST R 59607-2021 Optik und Photonik. Halbleiter-Fotodetektoren. Fotoelektrische und Fotoempfangsgeräte. Methoden zur Messung photoelektrischer Parameter und zur Bestimmung von Eigenschaften
- GOST R 59740-2021 Optik und Photonik. Halbleiterlaser zur Bestimmung geringer Stoffkonzentrationen. Methoden zur Messung von Eigenschaften
- GOST 24458-1980 Optoelektronische Halbleiterkoppler. Wesentliche Parameter
International Electrotechnical Commission (IEC), Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- IEC 60747-5-4:2024 Semiconductorgeräte - Teil 5-4: Optoelektronische Geräte - Halbleiterlaser
- IEC 60747-5-4:2022+AMD1:2024 CSV Semiconductor-Geräte - Teil 5-4: Optoelektronische Geräte - Halbleiter-Laser
- IEC 60747-5-4:2022 Halbleiterbauelemente – Teil 5-4: Optoelektronische Bauelemente – Halbleiterlaser
- IEC 62007-1:1997 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- IEC 62007-1:1999 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- IEC 60747-5-4:2022/AMD1:2024 Anderungsart 1 - Halbleiterbauelemente - Teil 5-4: Optoelektronische Bauelemente - Halbleiterlaser
- IEC 60747-5-4:2006 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 5-4: Optoelektronische Bauelemente – Halbleiterlaser
- IEC 62007-1:1997+AMD1:1998 CSV Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- IEC 62007-1/AMD1:1998 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Teil 1: Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften; Änderung 1
- IEC 62007-1:2015+AMD1:2022 CSV Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- IEC 62007-1:2015 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- IEC 62007-1:2008 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- IEC 62951-4:2019 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 4: Ermüdungsbewertung für flexible leitfähige Dünnfilme auf dem Substrat für flexible Halbleiterbauelemente
- IEC 60747-5-2:2009 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente – Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- IEC 60747-5-2:1997+AMD1:2002 CSV Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente – Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- IEC 60747-5-2:1997/AMD1:2002 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente; Wesentliche Bewertungen und Merkmale; Änderung 2
- IEC 62007-1:1997/AMD1:1998 Änderung 1 – Optoelektronische Halbleitergeräte für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Wesentliche Nennwerte und Merkmale
- IEC 60747-5-7:2016 Halbleiterbauelemente – Teil 5-7: Optoelektronische Bauelemente – Fotodioden und Fototransistoren
- IEC 60747-18-4:2023 Halbleiterbauelemente – Teil 18-4: Halbleiter-Biosensoren – Bewertungsverfahren für Rauscheigenschaften von linsenfreien CMOS-Photonik-Array-Sensoren
- IEC 60747-5-2:1997 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente – Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- IEC 62951-5:2019 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 5: Prüfverfahren für thermische Eigenschaften flexibler Materialien
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- GB/T 15651.4-2026 Semikondiktoren — Teil 5-4: Optoelektronische Bauelemente — Halbleiterlaser
- GB 15651.4-2017 Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente Teil 5-4: Optoelektronische Bauelemente Halbleiterlaser
- GB/T 15651.4-2017 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 5-4: Optoelektronische Bauelemente – Halbleiterlaser
- GB/T 15167-1994 Allgemeine Spezifikation für Lichtquellen von Halbleiterlasern
- GB/T 13973-2012 Allgemeine Spezifikationstestmethoden für Kurvenverfolgungsgeräte für Halbleiterbauelemente
- GB/T 13974-1992 Testmethoden für Kurvenverfolgungsgeräte für Halbleiterbauelemente
- GB 12565-1990 Abschnittsspezifikation für Halbleiterbauelemente und optoelektronische Bauelemente
- GB/T 15651.2-2003/IEC 60747-5-2:1997 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-2: Grundlegende Nennwerte und Eigenschaften optoelektronischer Bauelemente
- GB/T 15651.2-2003 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- GB/T 31358-2015 Allgemeine Spezifikation für Halbleiterlaser
Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- KS C IEC 62007-1-2003(2023) Halbleiter-Photovoltaikgeräte für optische Kommunikationssysteme – Teil 1: Wichtige Klassen und Eigenschaften
- KS C IEC 62007-1:2003 Optoelektronische Halbleitergeräte für Glasfasersystemanwendungen? Teil 1: Wesentliche Bewertungen und Merkmale
- KS C IEC 62007-1-2003(2018) Halbleiter-Photovoltaikgeräte für optische Kommunikationssysteme – Teil 1: Wichtige Klassen und Eigenschaften
- KS C IEC 60747-5-2-2020 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente – Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- KS C IEC 60747-5-2:2020 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente – Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- KS C IEC 60747-5-2(2025 Confirm)(2025) Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise — Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente — Wesentliche Kennwerte und Merkmale
- KS C IEC 60747-5-2-2025 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltungen — Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente — Wesentliche Kennwerte und Eigenschaften
- KS C IEC 60747-5-2:2004 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5 – 2: Optoelektronische Bauelemente Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
German Institute for Standardization, Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- DIN 4000-20:1988 Tabellarische Darstellung von Artikelmerkmalen für optoelektronische Halbleiterbauelemente
- DIN 4000-20:1988-12 Tabellarische Darstellung von Artikelmerkmalen für optoelektronische Halbleitervorrichtungen
- DIN EN 62779-2 E:2013-01 Dokumententwurf - Halbleiterbauelemente - Halbleiterschnittstelle für die Mensch-Körper-Kommunikation - Teil 2: Charakterisierung der Schnittstellenleistung (IEC 47/2153/CD:2012)
- DIN EN 62007-1:2001 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Lichtwellenleitersysteme - Teil 1: Grundlegende Angaben und Eigenschaften (IEC 62007-1:1997 + A1:1998); Deutsche Fassung EN 62007-1:2000
Yugoslav Association for Standardization, Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- JUS A.A4.302-1990 Tabellarische Darstellung der Artikeleigenschaften für Halbleiterdioden
Professional Standard - Electron, Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- SJ/T 11997.1-2025 Testmethoden von Halbleiterlaserchips für die Glasfaserkommunikation Teil 1: Grundlegende photoelektrische Eigenschaften
- SJ/T 10229-1991 Grafisches Instrument für Eigenschaften von Halbleiterröhren für Typ XJ4810
- SJ 20786-2000 Allgemeine Spezifikation für die optoelektronische Halbleiterbaugruppe
- SJ 20642-1997 Optoelektronisches Halbleitermodul Allgemeine Spezifikation für
- SJ 50033/109-1996 Optoelektronische Halbleitergeräte. Detaillierte Spezifikation für die Halbleiterlaserdioden der Typen GJ9031T und GJ9032T sowie GJ9034T
- SJ/T 2214-2015 Messmethoden für Halbleiter-Fotodioden und Fototransistoren
- SJ/T 2215-2015 Messmethoden für Halbleiter-Optokoppler
- SJ 2247-1982 Umreißt die Abmessungen für optoelektronische Halbleitergeräte
- SJ 50033/111-1996 Optoelektronische Halbleitergeräte. Lieferspezifikation für Si.NPN-Fototransistoren vom Typ GT16
- SJ 20642.4-1998 Optoelektronisches Halbleitermodul Detailspezifikation für Optokoppler vom Typ GH81
- SJ/T 11856.3-2022 Technische Spezifikationen für Halbleiterlaserchips für die Glasfaserkommunikation Teil 3: Elektroabsorptionsmodulierte Halbleiterlaserchips für Lichtquellen
- SJ 2214.10-1982 Methode zur Messung des Lichtstroms von Halbleiter-Fotodioden und Fototransistoren
- SJ 20642.6-1998 Optoelektronisches Halbleitermodul Detailspezifikation für Optokoppler vom Typ GH83
- SJ 50033/113-1996 Optoelektronische Halbleiterbauelemente. Detaillierte Spezifikation für Fotodioden vom Typ GD3252Y
GCC Standardization Organization, Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- GSO IEC 60747-5-4:2014 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 5-4: Optoelektronische Bauelemente – Halbleiterlaser
- OS GSO IEC 63244-1:2024 Semiconductor-Devices - Semiconductor-Devices for wireless power transfer and charging - Part 1: General requirements and characteristics
- GSO IEC 60747-5-2:2014 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente – Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- GSO IEC 60747-5-7:2021 Halbleiterbauelemente – Teil 5-7: Optoelektronische Bauelemente – Fotodioden und Fototransistoren
- GSO IEC 60747-18-4:2024 Halbleiterbauelemente – Teil 18-4: Halbleiter-Biosensoren – Bewertungsverfahren für Rauscheigenschaften von linsenfreien CMOS-Photonik-Array-Sensoren
The Directorate General of Specifications and Metrology (DGSM) , Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- OS GSO IEC 60747-5-4:2014 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 5-4: Optoelektronische Bauelemente – Halbleiterlaser
Kingdom of Bahrain Testing and Metrology Directorate, Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- BH GSO IEC 60747-5-4:2016 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 5-4: Optoelektronische Bauelemente – Halbleiterlaser
- BH GSO IEC 60747-5-2:2016 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente – Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- BH GSO IEC 60747-5-7:2022 Halbleiterbauelemente – Teil 5-7: Optoelektronische Bauelemente – Fotodioden und Fototransistoren
Professional Standard - Post and Telecommunication, Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- YD/T 2001.1-2009 Optoelektronische Halbleitergeräte für Glasfasersystemanwendungen. Teil 1: Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
Czech Standards Institute (UNMZ), Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- CSN 35 8761-1973 Halbleiterbauelemente. Fototransistoren Fotodioden. Messung des fotoelektrischen Stroms
- CSN 35 8762-1973 Halbleiterbauelemente. Fototransistoren Fotodioden. Messung des Dunkelstroms
Association Francaise de Normalisation, Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- NF C93-801:1997 OPTOELEKTRONISCHE DISPOSITIVE UND HALBLEITER DANS LES SYSTEMES A FIBERS OPTIQUES
- NF C93-801-1*NF EN 62007-1:2015 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- NF C93-801-1:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Eigenschaften.
- NF C86-503:1986 Halbleiterbauelemente. Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Fototransistoren, Fotodarlington-Transistoren und Fototransistor-Arrays. Blanko-Bauartspezifikation CECC 20 003.
- NF EN 60747-5-2/A1:2003 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente – Grenzwerte und wesentliche Merkmale
- NF EN 60747-5-2:2001 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente – Grenzwerte und wesentliche Merkmale
- NF C96-005-2*NF EN 60747-5-2:2001 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente – Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- NF C96-005-2/A1*NF EN 60747-5-2/A1:2003 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente – Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- NF C93-801-1/A1*NF EN 62007-1/A1:2022 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Lichtwellenleitersysteme - Teil 1: Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- NF C96-005-5*NF EN IEC 60747-5-5:2020 Halbleiterbauelemente – Teil 5-5: Optoelektronische Bauelemente – Fotokoppler
- NF EN IEC 60747-5-5:2020 Halbleiterbauelemente – Teil 5-5: Optoelektronische Bauelemente – Fotokoppler
Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- CNS 13805-1997 Methode zur Messung der Photolumineszenz optoelektronischer Halbleiterwafer
Association for Electrical, Electronic & Information Technologies (VDE), Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- VDE 0884-79-2-2017 Halbleiterbauelemente - Halbleiterschnittstelle zur Kommunikation über den menschlichen Körper - Teil 2: Beschreibung der Schnittstellenfunktion (IEC 62779-2:2016); Deutsche Fassung EN 62779-2:2016
European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- EN 62007-1:2000 Optoelektronische Halbleitergeräte für Glasfasersystemanwendungen Teil 1: Grundlegende Nennwerte und Eigenschaften
- EN 62007-1:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- EN 62007-1:2015 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
Standardization Institute of the Republic of Moldova, Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- SM EN 62779-2:2016 Halbleiterkomponenten. Schnittstellen für Kommunikation über den menschlichen Körper. Teil 2: Leistungscharakterisierung der Schnittstelle
- SM EN 62007-1:2017 Optoelektronische Bauelemente mit Halbleitern für Anwendungen in optischen Fasersystemen. Teil 1: Spezifikationsmodell für wesentliche Werte und Eigenschaften
- SM SR EN 60747-5-2:2013 Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltungen. Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente. Grenzwerte und Hauptkennwerte
Group Standards of the People's Republic of China, Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
Bureau of Indian Standards, Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- BIS IS 15077-1:2012 Semicodische Optoelektronische Bauelemente für Anwendungen in faseroptischen Systemen - Teil 1: Wesentliche Kenngrößen und Eigenschaften
- IS 3700 Pt.11-1984 Grundlegende Nennwerte und Eigenschaften von Halbleiterbauelementen Teil 11 Leuchtdioden
- IS 3700-11-1984 Wesentliche Bewertungen und Eigenschaften von Halbleiterbauelementen - Teil 11: Leuchtdioden
Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- DB13/T 5293-2020 Spezifikationen für die Wartung des Halbleiter-Charakteristik-Tracers
International Telecommunication Union (ITU), Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
Comitato Elettrotecnico Italiano, Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- CEI EN 62007-1:2001 OPTOELEKTRONISCHE HALBLEITERBAUELEMENTE FÜR ANWENDUNGEN IN LICHTWELLENLEITERSYSTEMEN – TEIL 1: VORLAGE FÜR LEISTUNGSSPEZIFIKEN WESENTLICHER GRENZ- UND KENNWERTE
- CEI EN 60747-5-2:2002 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente – Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- CEI EN 62007-1:2010 OPTOELEKTRONISCHE HALBLEITERBAUELEMENTE FÜR ANWENDUNGEN IN LICHTWELLENLEITERSYSTEMEN – TEIL 1: VORLAGE FÜR LEISTUNGSSPEZIFIKATIONEN FÜR WESENTLICHE GRENZ- UND KENNWORTE
- CEI EN IEC 60747-5-5:2021 Halbleiterbauelemente Teil 5-5: Optoelektronische Bauelemente – Fotokoppler
Danish Standards Foundation, Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- DS EN 62007-1:2015 Semiconductoroptoelektronische Bauelemente für Faseroptiksystemanwendungen - Teil 1: Spezifikationsvorlage für wesentliche Kennwerte und Eigenschaften
- DS/EN 60747-5-2/A1:2002 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente – Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- DS/EN 62007-1:2015 Halbleiter-optoelektronische Bauelemente für Anwendungen in faseroptischen Systemen - Teil 1: Spezifikationsvorlage für wesentliche Kennwerte und Eigenschaften
- DS/EN 60747-5-2:2002 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente – Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- DANSK DS/EN 60747-5-2/A1:2002 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente – Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- DANSK DS/EN 60747-5-2:2002 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltungen - Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente - Wesentliche Angaben und Eigenschaften
- DS/EN 62007-1:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- DANSK DS/EN IEC 60747-5-5:2020 Halbleiterbauelemente – Teil 5-5: Optoelektronische Bauelemente – Fotokoppler
National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- JJF 1236-2010 Kalibrierungsspezifikation für Kurvenverfolgungsgeräte für Halbleiterbauelemente
Spanish Association for Standardization (UNE), Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
- UNE-EN 60747-5-2:2001 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente – Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften. (Von AENOR im Oktober 2001 gebilligt.)
- UNE-EN 60747-5-2:2001/A1:2002 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Teil 5-2: Optoelektronische Bauelemente – Wesentliche Nennwerte und Merkmale (Von AENOR im November 2002 gebilligt.)
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Netherlands Institute for Standardization, Photoelektrische Eigenschaften von Halbleitern
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