YS/T 1061-2015 (Englische Version) Siliziumkern für Polysilizium durch verbesserte Siemens-Methode Normen und Spezifikationen

YS/T 1061-2015 Normative Verweisungen

GB/T 11336 Messung von Abweichungen von der Geradheit
GB/T 14264 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
GB/T 1550 Prüfverfahren für den Leitfähigkeitstyp von extrinsischen Halbleitermaterialien*， 2018-12-28 Aktualisieren
GB/T 1551 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von einkristallinem Silizium – Inline-Vierpunktsonden- und Gleichstrom-Zweipunktsondenverfahren*， 2021-05-21 Aktualisieren
GB/T 1558 Infrarot-Absorptionstestverfahren für den Gehalt an substituiertem Kohlenstoff in Silizium*， 2023-12-28 Aktualisieren
GB/T 24582 Bestimmung des Metallverunreinigungsgehalts auf der Polysiliciumoberfläche durch Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma und Säurelaugung*， 2023-08-06 Aktualisieren
GB/T 2828.1 Prüfverfahren nach Zählprobenahme Teil 1: Stichprobenplan für die Chargenprüfung, abgerufen durch die Akzeptanzqualitätsgrenze (AQL)
GB/T 29849 Testverfahren zur Messung der metallischen Oberflächenkontamination von Siliziummaterialien, die für Photovoltaikanwendungen verwendet werden, mittels Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma

2015 YS/T 1061-2015 Siliziumkern für Polysilizium durch verbesserte Siemens-Methode