ASTM F996-11
Standardtestverfahren zur Trennung einer durch ionisierende Strahlung induzierten MOSFET-Schwellenspannungsverschiebung in Komponenten aufgrund von Oxid-eingeschlossenen Löchern und Schnittstellenzuständen unter Verwendung der Strom-Spannungs-Eigenschaften unterhalb der Schwelle
- Standard-Nr.
- ASTM F996-11
- Erscheinungsdatum
- 2011
- Organisation
- American Society for Testing and Materials (ASTM)
- Zustand
- ersetzt durch
- ASTM F996-11(2018)
- Letzte Version
- ASTM F996-11(2018)
ASTM F996-11 Normative Verweisungen
- ASTM E1249 Standardpraxis zur Minimierung von Dosimetriefehlern bei der Strahlungshärteprüfung elektronischer Siliziumgeräte unter Verwendung von Co-60-Quellen
- ASTM E1894 Standardhandbuch zur Auswahl von Dosimetriesystemen für die Anwendung in gepulsten Röntgenquellen
- ASTM E666 Standardverfahren zur Berechnung der absorbierten Dosis aus Gamma- oder Röntgenstrahlung
- ASTM E668 Standardpraxis für die Anwendung von Thermolumineszenz-Dosimetrie-Systemen (TLD) zur Bestimmung der absorbierten Dosis bei der Strahlungshärteprüfung elektronischer Geräte
ASTM F996-11 Veröffentlichungsverlauf
- 2018 ASTM F996-11(2018) Standardtestverfahren zur Trennung einer durch ionisierende Strahlung induzierten MOSFET-Schwellenspannungsverschiebung in Komponenten aufgrund von Oxid-eingeschlossenen Löchern und Schnittstellenzuständen unter Verwendung des Unterschwellenstroms –V
- 2011 ASTM F996-11 Standardtestverfahren zur Trennung einer durch ionisierende Strahlung induzierten MOSFET-Schwellenspannungsverschiebung in Komponenten aufgrund von Oxid-eingeschlossenen Löchern und Schnittstellenzuständen unter Verwendung der Strom-Spannungs-Eigenschaften unterhalb der Schwelle
- 2010 ASTM F996-10 Standardtestverfahren zur Trennung einer durch ionisierende Strahlung induzierten MOSFET-Schwellenspannungsverschiebung in Komponenten aufgrund von Oxid-eingeschlossenen Löchern und Schnittstellenzuständen unter Verwendung der Strom-Spannungs-Eigenschaften unterhalb der Schwelle
- 1998 ASTM F996-98(2003) Standardtestverfahren zur Trennung einer durch ionisierende Strahlung induzierten MOSFET-Schwellenspannungsverschiebung in Komponenten aufgrund von Oxid-eingeschlossenen Löchern und Schnittstellenzuständen unter Verwendung der Strom-Spannungs-Eigenschaften unterhalb der Schwelle
- 1998 ASTM F996-98 Standardtestverfahren zur Trennung einer durch ionisierende Strahlung induzierten MOSFET-Schwellenspannungsverschiebung in Komponenten aufgrund von Oxid-eingeschlossenen Löchern und Schnittstellenzuständen unter Verwendung der Strom-Spannungs-Eigenschaften unterhalb der Schwelle
