ASTM F996-10
Standardtestverfahren zur Trennung einer durch ionisierende Strahlung induzierten MOSFET-Schwellenspannungsverschiebung in Komponenten aufgrund von Oxid-eingeschlossenen Löchern und Schnittstellenzuständen unter Verwendung der Strom-Spannungs-Eigenschaften unterhalb der Schwelle

Standard-Nr.

ASTM F996-10

Erscheinungsdatum

2010

Organisation

American Society for Testing and Materials (ASTM)

Zustand

ersetzt werden

ersetzt durch

ASTM F996-11

Letzte Version

ASTM F996-11(2018)

ASTM F996-10 Veröffentlichungsverlauf

• 2018 ASTM F996-11(2018) Standardtestverfahren zur Trennung einer durch ionisierende Strahlung induzierten MOSFET-Schwellenspannungsverschiebung in Komponenten aufgrund von Oxid-eingeschlossenen Löchern und Schnittstellenzuständen unter Verwendung des Unterschwellenstroms –V
• 2011 ASTM F996-11 Standardtestverfahren zur Trennung einer durch ionisierende Strahlung induzierten MOSFET-Schwellenspannungsverschiebung in Komponenten aufgrund von Oxid-eingeschlossenen Löchern und Schnittstellenzuständen unter Verwendung der Strom-Spannungs-Eigenschaften unterhalb der Schwelle
• 2010 ASTM F996-10 Standardtestverfahren zur Trennung einer durch ionisierende Strahlung induzierten MOSFET-Schwellenspannungsverschiebung in Komponenten aufgrund von Oxid-eingeschlossenen Löchern und Schnittstellenzuständen unter Verwendung der Strom-Spannungs-Eigenschaften unterhalb der Schwelle
• 1998 ASTM F996-98(2003) Standardtestverfahren zur Trennung einer durch ionisierende Strahlung induzierten MOSFET-Schwellenspannungsverschiebung in Komponenten aufgrund von Oxid-eingeschlossenen Löchern und Schnittstellenzuständen unter Verwendung der Strom-Spannungs-Eigenschaften unterhalb der Schwelle
• 1998 ASTM F996-98 Standardtestverfahren zur Trennung einer durch ionisierende Strahlung induzierten MOSFET-Schwellenspannungsverschiebung in Komponenten aufgrund von Oxid-eingeschlossenen Löchern und Schnittstellenzuständen unter Verwendung der Strom-Spannungs-Eigenschaften unterhalb der Schwelle