GB/T 12963-2009
Spezifikation für polykristallines Silizium (Englische Version)
- Standard-Nr.
- GB/T 12963-2009
- Sprachen
- Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
- Erscheinungsdatum
- 2009
- Organisation
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Zustand
- 2015-09
- ersetzt durch
- GB/T 12963-2014
- Letzte Version
- GB/T 12963-2022
- Ersetzen
- GB/T 12963-1996
GB/T 12963-2009 Normative Verweisungen
- ASTM F1723-02
- GB/T 13389-1992 Übung zur Umrechnung zwischen spezifischem Widerstand und Dotierstoffdichte für mit Bor und Phosphor dotiertes Silizium
- GB/T 14264-2009 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
- GB/T 1550-1997 Standardmethoden zur Messung der Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitermaterialien
- GB/T 1553-2009 Testmethoden für die Lebensdauer von Minoritätsträgern in massivem Germanium und Silicium durch Messung des Photoleitungsabfalls
- GB/T 1558-2009 Testverfahren für den substitutionellen atomaren Kohlenstoffgehalt von Silizium durch Infrarotabsorption
- GB/T 4059-2007 Polykristallines Silizium.Untersuchungsmethode.Zonenschmelzen auf Phosphor unter kontrollierter Atmosphäre
- GB/T 4060-2007 Polykristallines Silizium.Untersuchungsmethode.Vakuumzonenschmelzen auf Bor
- GB/T 4061-2009 Polykristallines Silizium – Untersuchungsmethode – Bewertung von Sandwiches im Querschnitt durch chemische Korrosion
GB/T 12963-2009 Veröffentlichungsverlauf
- 2022 GB/T 12963-2022 Polykristallines Silizium in elektronischer Qualität
- 2014 GB/T 12963-2014 Polykristallines Silizium in elektronischer Qualität
- 2009 GB/T 12963-2009 Spezifikation für polykristallines Silizium
- 1996 GB/T 12963-1996 Polykristallines Silizium
