GB/T 4060-2007
Polykristallines Silizium.Untersuchungsmethode.Vakuumzonenschmelzen auf Bor (Englische Version)
- Standard-Nr.
- GB/T 4060-2007
- Sprachen
- Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
- Erscheinungsdatum
- 2007
- Organisation
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Zustand
- 2019-06
- ersetzt durch
- GB/T 4060-2018
- Letzte Version
- GB/T 4060-2018
- Ersetzen
- GB/T 4060-1983
GB/T 4060-2007 Normative Verweisungen
- GB/T 13389 Übung zur Umrechnung zwischen spezifischem Widerstand und Dotierstoffdichte für mit Bor, Phosphor und Arsen dotiertes Silizium*， 2014-12-31 Aktualisieren
- GB/T 14264 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen*， 2009-10-30 Aktualisieren
- GB/T 1551 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von einkristallinem Silizium – Inline-Vierpunktsonden- und Gleichstrom-Zweipunktsondenverfahren*， 2021-05-21 Aktualisieren
- GB/T 1554 Prüfverfahren für die kristallographische Perfektion von Silizium durch bevorzugte Ätztechniken*， 2009-10-30 Aktualisieren
- GB/T 1555 Methode zur Bestimmung der Kristallorientierung eines Halbleiter-Einkristalls*， 2023-08-06 Aktualisieren
GB/T 4060-2007 Veröffentlichungsverlauf
- 2018 GB/T 4060-2018 Prüfverfahren für den Borgehalt in polykristallinem Silizium mittels Vakuumzonenschmelzverfahren
- 2007 GB/T 4060-2007 Polykristallines Silizium.Untersuchungsmethode.Vakuumzonenschmelzen auf Bor
- 1983 GB/T 4060-1983 Polykristallines Silizium – Untersuchungsmethode – Vakuumzonenschmelzen auf Bor
