GB/T 4059-2007
Polykristallines Silizium.Untersuchungsmethode.Zonenschmelzen auf Phosphor unter kontrollierter Atmosphäre (Englische Version)

Standard-Nr.
GB/T 4059-2007
Sprachen
Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
Erscheinungsdatum
2007
Organisation
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Zustand
 2019-11
ersetzt durch
GB/T 4059-2018
Letzte Version
GB/T 4059-2018
Ersetzen
GB/T 4059-1983

GB/T 4059-2007 Normative Verweisungen

  • GB/T 13389 Übung zur Umrechnung zwischen spezifischem Widerstand und Dotierstoffdichte für mit Bor, Phosphor und Arsen dotiertes Silizium*2014-12-31 Aktualisieren
  • GB/T 14264 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen*2009-10-30 Aktualisieren
  • GB/T 1551 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von einkristallinem Silizium – Inline-Vierpunktsonden- und Gleichstrom-Zweipunktsondenverfahren*2021-05-21 Aktualisieren
  • GB/T 1553 Bestimmung der Lebensdauer von Minoritätsträgern in Silizium und Germanium durch die Methode des Photoleitungszerfalls*2023-08-06 Aktualisieren
  • GB/T 1554 Prüfverfahren für die kristallographische Perfektion von Silizium durch bevorzugte Ätztechniken*2009-10-30 Aktualisieren
  • GB/T 1555 Methode zur Bestimmung der Kristallorientierung eines Halbleiter-Einkristalls*2023-08-06 Aktualisieren

GB/T 4059-2007 Veröffentlichungsverlauf

  • 2018 GB/T 4059-2018 Prüfverfahren für den Phosphorgehalt in polykristallinem Silizium durch Zonenschmelzverfahren unter kontrollierter Atmosphäre
  • 2007 GB/T 4059-2007 Polykristallines Silizium.Untersuchungsmethode.Zonenschmelzen auf Phosphor unter kontrollierter Atmosphäre
  • 1983 GB/T 4059-1983 Polykristallines Silizium – Untersuchungsmethode – Zonenschmelzen auf Phosphor unter kontrollierter Atmosphäre
Polykristallines Silizium.Untersuchungsmethode.Zonenschmelzen auf Phosphor unter kontrollierter Atmosphäre



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