GB/T 13389 Übung zur Umrechnung zwischen spezifischem Widerstand und Dotierstoffdichte für mit Bor, Phosphor und Arsen dotiertes Silizium*, 2014-12-31 Aktualisieren
GB/T 14264 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen*, 2009-10-30 Aktualisieren
GB/T 1551 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von einkristallinem Silizium – Inline-Vierpunktsonden- und Gleichstrom-Zweipunktsondenverfahren*, 2021-05-21 Aktualisieren
GB/T 1553 Bestimmung der Lebensdauer von Minoritätsträgern in Silizium und Germanium durch die Methode des Photoleitungszerfalls*, 2023-08-06 Aktualisieren
GB/T 1554 Prüfverfahren für die kristallographische Perfektion von Silizium durch bevorzugte Ätztechniken*, 2009-10-30 Aktualisieren
GB/T 1555 Methode zur Bestimmung der Kristallorientierung eines Halbleiter-Einkristalls*, 2023-08-06 Aktualisieren
GB/T 4059-2007 Veröffentlichungsverlauf
2018GB/T 4059-2018 Prüfverfahren für den Phosphorgehalt in polykristallinem Silizium durch Zonenschmelzverfahren unter kontrollierter Atmosphäre
2007GB/T 4059-2007 Polykristallines Silizium.Untersuchungsmethode.Zonenschmelzen auf Phosphor unter kontrollierter Atmosphäre
1983GB/T 4059-1983 Polykristallines Silizium – Untersuchungsmethode – Zonenschmelzen auf Phosphor unter kontrollierter Atmosphäre