GB/T 6616-2009
Prüfverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von Halbleiterwafern oder des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen mit einem berührungslosen Wirbelstrommessgerät (Englische Version)
- Standard-Nr.
- GB/T 6616-2009
- Sprachen
- Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
- Erscheinungsdatum
- 2009
- Organisation
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Zustand
- 2024-03
- ersetzt durch
- GB/T 6616-2023
- Letzte Version
- GB/T 6616-2023
- Ersetzen
- GB/T 6616-1995
GB/T 6616-2009 Normative Verweisungen
- ASTM E691 Standardpraxis für die Durchführung eines Ringversuchs zur Bestimmung der Präzision einer Testmethode
- GB/T 1552 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von einkristallinem Silizium und Germanium mit einem kollinearen Vier-Sonden-Array
GB/T 6616-2009 Veröffentlichungsverlauf
- 2023 GB/T 6616-2023 Berührungsloses Wirbelstromverfahren zum Testen des spezifischen Widerstands von Halbleiterwafern und des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen
- 2009 GB/T 6616-2009 Prüfverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von Halbleiterwafern oder des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen mit einem berührungslosen Wirbelstrommessgerät
- 1995 GB/T 6616-1995 Prüfverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von Halbleitersilizium oder des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen mit einem berührungslosen Wirbelstrommessgerät
