GB/T 6616-1995
Prüfverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von Halbleitersilizium oder des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen mit einem berührungslosen Wirbelstrommessgerät (Englische Version)
- Standard-Nr.
- GB/T 6616-1995
- Sprachen
- Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
- Erscheinungsdatum
- 1995
- Organisation
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Zustand
- 2010-06
- ersetzt durch
- GB/T 6616-2009
- Letzte Version
- GB/T 6616-2023
GB/T 6616-1995 Veröffentlichungsverlauf
- 2023 GB/T 6616-2023 Berührungsloses Wirbelstromverfahren zum Testen des spezifischen Widerstands von Halbleiterwafern und des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen
- 2009 GB/T 6616-2009 Prüfverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von Halbleiterwafern oder des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen mit einem berührungslosen Wirbelstrommessgerät
- 1995 GB/T 6616-1995 Prüfverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von Halbleitersilizium oder des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen mit einem berührungslosen Wirbelstrommessgerät
