GB/T 13388 Verfahren zur Messung der kristallographischen Orientierung von Flächen auf einkristallinen Siliziumscheiben und Wafern mittels Röntgentechnik
GB/T 14264 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
GB/T 14844 Bezeichnungen von Halbleitermaterialien
GB/T 1555 Methode zur Bestimmung der Kristallorientierung eines Halbleiter-Einkristalls*, 2023-08-06 Aktualisieren
GB/T 2828.1 Prüfverfahren nach Zählprobenahme Teil 1: Stichprobenplan für die Chargenprüfung, abgerufen durch die Akzeptanzqualitätsgrenze (AQL)
GB/T 4326 Messung der Hall-Mobilität und des Hall-Koeffizienten durch extrinsische Halbleiter-Einkristalle
GB/T 8760 Prüfverfahren für die Versetzungsdichte von einkristallinem Galliumarsenid
GB/T 11094-2020 Veröffentlichungsverlauf
2020GB/T 11094-2020 Galliumarsenid-Einkristall und Schneidwafer, gezüchtet durch die horizontale Bridgman-Methode
2007GB/T 11094-2007 Horizontaler Bridgman-gewachsener Galliumarsenid-Einkristall und Schneidwafer
1989GB/T 11094-1989 Im Boot gezüchtete Galliumarsenid-Einkristalle und As-Cut-Scheiben