GB/T 11094-2020
Galliumarsenid-Einkristall und Schneidwafer, gezüchtet durch die horizontale Bridgman-Methode (Englische Version)

Standard-Nr.
GB/T 11094-2020
Sprachen
Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
Erscheinungsdatum
2020
Organisation
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
Letzte Version
GB/T 11094-2020
Ersetzen
GB/T 11094-2007

GB/T 11094-2020 Normative Verweisungen

  • GB/T 13388 Verfahren zur Messung der kristallographischen Orientierung von Flächen auf einkristallinen Siliziumscheiben und Wafern mittels Röntgentechnik
  • GB/T 14264 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
  • GB/T 14844 Bezeichnungen von Halbleitermaterialien
  • GB/T 1555 Methode zur Bestimmung der Kristallorientierung eines Halbleiter-Einkristalls*2023-08-06 Aktualisieren
  • GB/T 2828.1 Prüfverfahren nach Zählprobenahme Teil 1: Stichprobenplan für die Chargenprüfung, abgerufen durch die Akzeptanzqualitätsgrenze (AQL)
  • GB/T 4326 Messung der Hall-Mobilität und des Hall-Koeffizienten durch extrinsische Halbleiter-Einkristalle
  • GB/T 8760 Prüfverfahren für die Versetzungsdichte von einkristallinem Galliumarsenid

GB/T 11094-2020 Veröffentlichungsverlauf

  • 2020 GB/T 11094-2020 Galliumarsenid-Einkristall und Schneidwafer, gezüchtet durch die horizontale Bridgman-Methode
  • 2007 GB/T 11094-2007 Horizontaler Bridgman-gewachsener Galliumarsenid-Einkristall und Schneidwafer
  • 1989 GB/T 11094-1989 Im Boot gezüchtete Galliumarsenid-Einkristalle und As-Cut-Scheiben
Galliumarsenid-Einkristall und Schneidwafer, gezüchtet durch die horizontale Bridgman-Methode



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