GB/T 11094-2007
Horizontaler Bridgman-gewachsener Galliumarsenid-Einkristall und Schneidwafer (Englische Version)

Standard-Nr.
GB/T 11094-2007
Sprachen
Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
Erscheinungsdatum
2007
Organisation
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Zustand
 2021-08
ersetzt durch
GB/T 11094-2020
Letzte Version
GB/T 11094-2020
Ersetzen
GB/T 11094-1989

GB/T 11094-2007 Normative Verweisungen

  • GB/T 14264 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen*2009-10-30 Aktualisieren
  • GB/T 1555 Methode zur Bestimmung der Kristallorientierung eines Halbleiter-Einkristalls*2023-08-06 Aktualisieren
  • GB/T 2828.1 Prüfverfahren nach Zählprobenahme Teil 1: Stichprobenplan für die Chargenprüfung, abgerufen durch die Akzeptanzqualitätsgrenze (AQL)*2013-02-15 Aktualisieren
  • GB/T 4326 Messung der Hall-Mobilität und des Hall-Koeffizienten durch extrinsische Halbleiter-Einkristalle
  • GB/T 8760 Prüfverfahren für die Versetzungsdichte von einkristallinem Galliumarsenid*2020-09-29 Aktualisieren
  • GJB 1927 Methode zur Prüfung von Galliumarsenid-Einkristallmaterialien

GB/T 11094-2007 Veröffentlichungsverlauf

  • 2020 GB/T 11094-2020 Galliumarsenid-Einkristall und Schneidwafer, gezüchtet durch die horizontale Bridgman-Methode
  • 2007 GB/T 11094-2007 Horizontaler Bridgman-gewachsener Galliumarsenid-Einkristall und Schneidwafer
  • 1989 GB/T 11094-1989 Im Boot gezüchtete Galliumarsenid-Einkristalle und As-Cut-Scheiben
Horizontaler Bridgman-gewachsener Galliumarsenid-Einkristall und Schneidwafer



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