BS EN 61338-1-5:2015
Dielektrische Resonatoren vom Wellenleitertyp. Allgemeine Informationen und Testbedingungen. Messmethode der Leitfähigkeit an der Grenzfläche zwischen Leiterschicht und dielektrischem Substrat bei Mikrowellenfrequenz

Standard-Nr.
BS EN 61338-1-5:2015
Erscheinungsdatum
2015
Organisation
British Standards Institution (BSI)
Letzte Version
BS EN 61338-1-5:2015
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BS DD IEC/PAS 61338-1-5:2010

BS EN 61338-1-5:2015 Normative Verweisungen

  • EN 61338-1-3 Dielektrische Resonatoren vom Wellenleitertyp – Teil 1-3: Allgemeine Informationen und Testbedingungen – Messverfahren für komplexe relative Permittivität für dielektrische Resonatormaterialien bei Mikrowellenfrequenz-Testbedingungen – Messverfahren für komplexe relative Permittivität
  • EN 62252 Navigations- und Funkkommunikationsgeräte und -systeme für den Seeverkehr. Radar für Fahrzeuge, die nicht den Leistungsanforderungen, Prüfmethoden und erforderlichen Prüfergebnissen von IMO SOLAS Kapitel V entsprechen*2024-03-31 Aktualisieren
  • IEC 61338-1-3 Dielektrische Resonatoren vom Wellenleitertyp – Teil 1-3: Allgemeine Informationen und Prüfbedingungen – Verfahren zur Messung der komplexen relativen Permittivität für dielektrische Resonatormaterialien bei Mikrowellenfrequenz
  • IEC 62562 Hohlraumresonatormethode zur Messung der komplexen Permittivität verlustarmer dielektrischer Platten

BS EN 61338-1-5:2015 Veröffentlichungsverlauf

  • 2015 BS EN 61338-1-5:2015 Dielektrische Resonatoren vom Wellenleitertyp. Allgemeine Informationen und Testbedingungen. Messmethode der Leitfähigkeit an der Grenzfläche zwischen Leiterschicht und dielektrischem Substrat bei Mikrowellenfrequenz
  • 2010 BS DD IEC/PAS 61338-1-5:2010 Dielektrische Resonatoren vom Wellenleitertyp – Allgemeine Informationen und Prüfbedingungen – Verfahren zur Messung der Leitfähigkeit an der Grenzfläche zwischen Leiterschicht und dielektrischem Substrat bei Mikrowellenfrequenz
Dielektrische Resonatoren vom Wellenleitertyp. Allgemeine Informationen und Testbedingungen. Messmethode der Leitfähigkeit an der Grenzfläche zwischen Leiterschicht und dielektrischem Substrat bei Mikrowellenfrequenz



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