GB/T 6617-2009
Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von Siliziumwafern mithilfe einer Ausbreitungswiderstandssonde (Englische Version)
- Standard-Nr.
- GB/T 6617-2009
- Sprachen
- Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
- Erscheinungsdatum
- 2009
- Organisation
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Letzte Version
- GB/T 6617-2009
- Ersetzen
- GB/T 6617-1995
GB/T 6617-2009 Normative Verweisungen
- GB/T 14847 Prüfverfahren für die Dicke von leicht dotierten Silizium-Epitaxieschichten auf stark dotierten Siliziumsubstraten durch Infrarotreflexion*， 2011-01-10 Aktualisieren
- GB/T 1550 Prüfverfahren für den Leitfähigkeitstyp von extrinsischen Halbleitermaterialien*， 2018-12-28 Aktualisieren
- GB/T 1552 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von einkristallinem Silizium und Germanium mit einem kollinearen Vier-Sonden-Array
- GB/T 1555 Methode zur Bestimmung der Kristallorientierung eines Halbleiter-Einkristalls*， 2023-08-06 Aktualisieren
GB/T 6617-2009 Veröffentlichungsverlauf
- 2009 GB/T 6617-2009 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von Siliziumwafern mithilfe einer Ausbreitungswiderstandssonde
- 1995 GB/T 6617-1995 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von Siliziumwafern mithilfe einer Ausbreitungswiderstandssonde
