SJ 1826-1981
Detailspezifikation für Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Schalttransistoren mit geringer Leistung, Typ 3DK100 (Englische Version)
- Standard-Nr.
- SJ 1826-1981
- Sprachen
- Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
- Erscheinungsdatum
- 1982
- Organisation
- Professional Standard - Electron
- Zustand
- 2016-09
- ersetzt durch
- SJ/T 1826-2016
- Letzte Version
- SJ/T 1826-2016
SJ 1826-1981 Veröffentlichungsverlauf
- 2016 SJ/T 1826-2016 Detaillierte Spezifikation des diskreten Halbleiterbauelements 3DK100 vom Typ NPN-Silizium-Schalttransistor mit geringem Stromverbrauch
- 1982 SJ 1826-1981 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Schalttransistoren mit geringer Leistung, Typ 3DK100
SJ 1826-1981 Detailspezifikation für Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Schalttransistoren mit geringer Leistung, Typ 3DK100 ha sido cambiado a SJ/T 1826-2016 Detaillierte Spezifikation des diskreten Halbleiterbauelements 3DK100 vom Typ NPN-Silizium-Schalttransistor mit geringem Stromverbrauch.
