SJ/T 1826-2016
Detaillierte Spezifikation des diskreten Halbleiterbauelements 3DK100 vom Typ NPN-Silizium-Schalttransistor mit geringem Stromverbrauch (Englische Version)

Standard-Nr.

SJ/T 1826-2016

Sprachen

Chinesisch, Verfügbar auf Englisch

Erscheinungsdatum

2016

Organisation

工业和信息化部

Letzte Version

SJ/T 1826-2016

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SJ/T 1826-1981

SJ/T 1826-2016 Veröffentlichungsverlauf

• 2016 SJ/T 1826-2016 Detaillierte Spezifikation des diskreten Halbleiterbauelements 3DK100 vom Typ NPN-Silizium-Schalttransistor mit geringem Stromverbrauch
• 0000 SJ/T 1826-1981