SJ 1486-1979
Detailspezifikation für Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-Hochfrequenz-Transistoren mit geringer Leistung und hoher Sperrspannung, Typ 3CG180 (Englische Version)
- Standard-Nr.
- SJ 1486-1979
- Sprachen
- Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
- Erscheinungsdatum
- 1980
- Organisation
- Professional Standard - Electron
- Zustand
- 2016-09
- ersetzt durch
- SJ/T 1486-2016
- Letzte Version
- SJ/T 1486-2016
SJ 1486-1979 Veröffentlichungsverlauf
- 2016 SJ/T 1486-2016 Detaillierte Spezifikation für diskrete Halbleiterbauelemente vom Typ 3CG180, Silizium-PNP-Hochfrequenztransistor mit hoher Rückspannung und geringer Leistung
- 1980 SJ 1486-1979 Detailspezifikation für Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-Hochfrequenz-Transistoren mit geringer Leistung und hoher Sperrspannung, Typ 3CG180
SJ 1486-1979 Detailspezifikation für Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-Hochfrequenz-Transistoren mit geringer Leistung und hoher Sperrspannung, Typ 3CG180 ha sido cambiado a SJ/T 1486-2016 Detaillierte Spezifikation für diskrete Halbleiterbauelemente vom Typ 3CG180, Silizium-PNP-Hochfrequenztransistor mit hoher Rückspannung und geringer Leistung.
