SJ/T 1486-2016 Detaillierte Spezifikation für diskrete Halbleiterbauelemente vom Typ 3CG180, Silizium-PNP-Hochfrequenztransistor mit hoher Rückspannung und geringer Leistung (Englische Version)
2016SJ/T 1486-2016 Detaillierte Spezifikation für diskrete Halbleiterbauelemente vom Typ 3CG180, Silizium-PNP-Hochfrequenztransistor mit hoher Rückspannung und geringer Leistung