OVE EN IEC 63275-2:2021
Halbleiterbauelemente – Zuverlässigkeitstestverfahren für diskrete Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus Siliziumkarbid – Teil 2: Testverfahren für bipolare Verschlechterung aufgrund des Body-Diode-Betriebs (IEC 47/2680/CDV) (englische Version)

Standard-Nr.

OVE EN IEC 63275-2:2021

Erscheinungsdatum

2021

Organisation

AT-OVE/ON

Letzte Version

OVE EN IEC 63275-2:2021

OVE EN IEC 63275-2:2021 Veröffentlichungsverlauf

• 2021 OVE EN IEC 63275-2:2021 Halbleiterbauelemente – Zuverlässigkeitstestverfahren für diskrete Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus Siliziumkarbid – Teil 2: Testverfahren für bipolare Verschlechterung aufgrund des Body-Diode-Betriebs (IEC 47/2680/CDV) (englische Version)