OVE EN IEC 63275-1:2021
Halbleiterbauelemente – Zuverlässigkeitstestverfahren für diskrete Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren aus Siliziumkarbid – Teil 1: Testverfahren für Vorspannungstemperaturinstabilität (IEC 47/2679/CDV) (englische Version)