JEDEC JEP167-2013
Charakterisierung der Grenzflächenadhäsion in Halbleitergehäusen

Standard-Nr.

JEDEC JEP167-2013

Erscheinungsdatum

2013

Organisation

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association

Letzte Version

JEDEC JEP167-2013

JEDEC JEP167-2013 Veröffentlichungsverlauf

• 2013 JEDEC JEP167-2013 Charakterisierung der Grenzflächenadhäsion in Halbleitergehäusen