NF C96-050-12*NF EN 62047-12:2012
Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung der Resonanzschwingung von MEMS-Strukturen.

Standard-Nr.: NF C96-050-12*NF EN 62047-12:2012
Erscheinungsdatum: 2012
Organisation: Association Francaise de Normalisation
Zustand: zurückziehen
Letzte Version: NF C96-050-12*NF EN 62047-12:2012
ersetzt durch: LST EN 62220-1-1-2015

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2012 NF C96-050-12*NF EN 62047-12:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung der Resonanzschwingung von MEMS-Strukturen.

NF C96-050-12*NF EN 62047-12:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung der Resonanzschwingung von MEMS-Strukturen. ha sido cambiado a LST EN 62220-1-1-2015 Medizinische elektrische Geräte – Eigenschaften digitaler Röntgenbildgeräte – Teil 1-1: Bestimmung der detektiven Quanteneffizienz – Detektoren für die Röntgenbildgebung (IEC 62220-1-1:2015).

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Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung der Resonanzschwingung von MEMS-Strukturen.