QJ 10007/11-2008 Detailspezifikation für Silizium-Hochfrequenz-Transistoren mit geringer Leistung und hoher Rückspannung vom Typ 3DG182 für diskrete Halbleiterbauelemente, die in der Luft- und Raumfahrt eingesetzt werden (Englische Version)
1970QJ 10007/11-2008 Detailspezifikation für Silizium-Hochfrequenz-Transistoren mit geringer Leistung und hoher Rückspannung vom Typ 3DG182 für diskrete Halbleiterbauelemente, die in der Luft- und Raumfahrt eingesetzt werden