BS IEC 60747-8:2001
Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Feldeffekttransistoren – Zusätzliche Nennwerte und Eigenschaften sowie Änderungen bei den Messmethoden für Leistungsschalt-Feldeffekttransistoren

Standard-Nr.

BS IEC 60747-8:2001

Erscheinungsdatum

2001

Organisation

British Standards Institution (BSI)

Zustand

ersetzt werden 2011-06

ersetzt durch

BS IEC 60747-8:2010

Letzte Version

BS IEC 60747-8:2010+A1:2021

Ersetzen

92/34150 DC:1992 BS 6493-1.8:1985

BS IEC 60747-8:2001 Veröffentlichungsverlauf

• 2021 BS IEC 60747-8:2010+A1:2021 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte – Feldeffekttransistoren
• 2011 BS IEC 60747-8:2010 Halbleiterbauelemente. Diskrete Bauelemente. Feldeffekttransistoren
• 2001 BS IEC 60747-8:2001 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Feldeffekttransistoren – Zusätzliche Nennwerte und Eigenschaften sowie Änderungen bei den Messmethoden für Leistungsschalt-Feldeffekttransistoren