GB/T 6590-1998
Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente Teil 6: Thyristoren Abschnitt Zwei – Blanko-Detailspezifikation für bidirektionale Triodenthyristoren (Triacs), für Umgebungstemperatur oder Gehäuse ausgelegt, bis zu 100 A (Englische Version)

Standard-Nr.
GB/T 6590-1998
Sprachen
Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
Erscheinungsdatum
1998
Organisation
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Letzte Version
GB/T 6590-1998
Ersetzen
GB/T 6590-1986

GB/T 6590-1998 Veröffentlichungsverlauf

  • 1998 GB/T 6590-1998 Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente Teil 6: Thyristoren Abschnitt Zwei – Blanko-Detailspezifikation für bidirektionale Triodenthyristoren (Triacs), für Umgebungstemperatur oder Gehäuse ausgelegt, bis zu 100 A
  • 0000 GB/T 6590-1986
Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente Teil 6: Thyristoren Abschnitt Zwei – Blanko-Detailspezifikation für bidirektionale Triodenthyristoren (Triacs), für Umgebungstemperatur oder Gehäuse ausgelegt, bis zu 100 A



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