GB/T 6590-1998 Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente Teil 6: Thyristoren Abschnitt Zwei – Blanko-Detailspezifikation für bidirektionale Triodenthyristoren (Triacs), für Umgebungstemperatur oder Gehäuse ausgelegt, bis zu 100 A (Englische Version)
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1998GB/T 6590-1998 Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente Teil 6: Thyristoren Abschnitt Zwei – Blanko-Detailspezifikation für bidirektionale Triodenthyristoren (Triacs), für Umgebungstemperatur oder Gehäuse ausgelegt, bis zu 100 A