GB/T 8646-1998
Feiner Aluminium-1 %-Siliziumdraht für Halbleiter-Lendbonding (Englische Version)

Standard-Nr.

GB/T 8646-1998

Sprachen

Chinesisch, Verfügbar auf Englisch

Erscheinungsdatum

1998

Organisation

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

Zustand

zurückziehen 2007-09

Letzte Version

GB/T 8646-1998

ersetzt durch

YS/T 543-2006

Ersetzen

GB/T 8646-1988

GB/T 8646-1998 Veröffentlichungsverlauf

• 1998 GB/T 8646-1998 Feiner Aluminium-1 %-Siliziumdraht für Halbleiter-Lendbonding
• 0000 GB/T 8646-1988

GB/T 8646-1998 Feiner Aluminium-1 %-Siliziumdraht für Halbleiter-Lendbonding ha sido cambiado a YS/T 543-2006 Halbleitergebundene Aluminium-1 %-Siliziumfilamente.