GB/T 41751-2022
Prüfverfahren für den Krümmungsradius der Kristallebene in GaN-Einkristall-Substratwafern (Englische Version)

Standard-Nr.

GB/T 41751-2022

Sprachen

Chinesisch, Verfügbar auf Englisch

Erscheinungsdatum

2022

Organisation

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

Letzte Version

GB/T 41751-2022

GB/T 41751-2022 Normative Verweisungen

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GB/T 41751-2022 Veröffentlichungsverlauf

• 2022 GB/T 41751-2022 Prüfverfahren für den Krümmungsradius der Kristallebene in GaN-Einkristall-Substratwafern