IEC 60747-9:2019
Halbleiterbauelemente – Teil 9: Diskrete Bauelemente – Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)
- Standard-Nr.
- IEC 60747-9:2019
- Erscheinungsdatum
- 2019
- Organisation
- International Electrotechnical Commission (IEC)
- Letzte Version
- IEC 60747-9:2019
IEC 60747-9:2019 Veröffentlichungsverlauf
- 2019 IEC 60747-9:2019 Halbleiterbauelemente – Teil 9: Diskrete Bauelemente – Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)
- 2007 IEC 60747-9:2007 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 9: Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)
- 2001 IEC 60747-9/AMD1:2001 Halbleiterbauelemente - Teil 9: Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs); Änderung 1
- 2001 IEC 60747-9:2001 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 9: Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)
- 1998 IEC 60747-9:1998 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 9: Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)
