T/CASAS 016-2022
Transiente Dual-Testmethode zur Messung des thermischen Widerstands zwischen dem Gehäuse und dem Gehäuse eines Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (SiC-MOSFET). (Englische Version)
- Standard-Nr.
- T/CASAS 016-2022
- Sprachen
- Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
- Erscheinungsdatum
- 2022
- Organisation
- Group Standards of the People's Republic of China
- Letzte Version
- T/CASAS 016-2022
T/CASAS 016-2022 Veröffentlichungsverlauf
- 2022 T/CASAS 016-2022 Transiente Dual-Testmethode zur Messung des thermischen Widerstands zwischen dem Gehäuse und dem Gehäuse eines Siliziumkarbid-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (SiC-MOSFET).
