GB/T 36474-2018
Integrierte Halbleiterschaltung – Messmethoden für synchronen dynamischen Direktzugriffsspeicher mit doppelter Datenrate 3 (DDR3 SDRAM) (Englische Version)

Standard-Nr.
GB/T 36474-2018
Sprachen
Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
Erscheinungsdatum
2018
Organisation
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
Letzte Version
GB/T 36474-2018

GB/T 36474-2018 Normative Verweisungen

  • GB/T 17574 Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise. Teil 2: Digitale integrierte Schaltkreise

GB/T 36474-2018 Veröffentlichungsverlauf

  • 2018 GB/T 36474-2018 Integrierte Halbleiterschaltung – Messmethoden für synchronen dynamischen Direktzugriffsspeicher mit doppelter Datenrate 3 (DDR3 SDRAM)
Integrierte Halbleiterschaltung – Messmethoden für synchronen dynamischen Direktzugriffsspeicher mit doppelter Datenrate 3 (DDR3 SDRAM)



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