T/CASAS 003-2018
4H-SiC-Epitaxiewafer für p-IGBT-Geräte (Englische Version)
Start
T/CASAS 003-2018
Standard-Nr.
T/CASAS 003-2018
Sprachen
Chinesisch,
Verfügbar auf Englisch
Erscheinungsdatum
2018
Organisation
Group Standards of the People's Republic of China
Letzte Version
T/CASAS 003-2018
T/CASAS 003-2018 Veröffentlichungsverlauf
2018
T/CASAS 003-2018
4H-SiC-Epitaxiewafer für p-IGBT-Geräte
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