SJ 1485-1979
Detailspezifikation für Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-Hochfrequenz-Transistoren mit geringer Leistung und hoher Sperrspannung, Typ 3CG170 (Englische Version)
- Standard-Nr.
- SJ 1485-1979
- Sprachen
- Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
- Erscheinungsdatum
- 1980
- Organisation
- Professional Standard - Electron
- Zustand
- 2010-02
- Letzte Version
- SJ 1485-1979
SJ 1485-1979 Veröffentlichungsverlauf
- 1980 SJ 1485-1979 Detailspezifikation für Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-Hochfrequenz-Transistoren mit geringer Leistung und hoher Sperrspannung, Typ 3CG170
