SJ 20063-1992
Diskretes Halbleiterbauelement. Detaillierte Spezifikation für einen rauscharmen Silizium-NPN-Ultrahochfrequenz-Dual-Difference-Match-Transistor vom Typ 3DG213 (Englische Version)

Standard-Nr.
SJ 20063-1992
Sprachen
Chinesisch, Verfügbar auf Englisch
Erscheinungsdatum
1992
Organisation
Professional Standard - Electron
Letzte Version
SJ 20063-1992

SJ 20063-1992 Veröffentlichungsverlauf

  • 1992 SJ 20063-1992 Diskretes Halbleiterbauelement. Detaillierte Spezifikation für einen rauscharmen Silizium-NPN-Ultrahochfrequenz-Dual-Difference-Match-Transistor vom Typ 3DG213
Diskretes Halbleiterbauelement. Detaillierte Spezifikation für einen rauscharmen Silizium-NPN-Ultrahochfrequenz-Dual-Difference-Match-Transistor vom Typ 3DG213



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